طلب اقتباس |
منزل المنتجاتn type sic crystal
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

n type sic crystal التصنيع عبر الإنترنت

(26)
يشتري 0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm كربيد السيليكون نوع الكريستال N. الانترنت الشركة المصنعة

0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm كربيد السيليكون نوع الكريستال N.
اتصل

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:01:16
يشتري 6 بوصة SiC Epitaxial رقاقة الانترنت الشركة المصنعة

6 بوصة SiC Epitaxial رقاقة
اتصل

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... قراءة المزيد
2022-10-09 16:56:20
يشتري 47.5 مم ± 1.5 مم SiC Epitaxial رقاقة 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم بالتوازي<11-20>± 1 درجة الانترنت الشركة المصنعة

47.5 مم ± 1.5 مم SiC Epitaxial رقاقة 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم بالتوازي<11-20>± 1 درجة
اتصل

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
يشتري JDZJ01-001-002 SiC سبيكة كريستال 4 &quot;درجة D. الانترنت الشركة المصنعة

JDZJ01-001-002 SiC سبيكة كريستال 4 "درجة D.
اتصل

SiC ingot crystal 4" P grade SiC devices can operate at high frequencies (RF and microwave) because of the high saturated electron drift velocity of SiC. SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:20
يشتري 4 &quot;P الصف مقاومة كريستال كربيد السيليكون 0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm الانترنت الشركة المصنعة

4 "P الصف مقاومة كريستال كربيد السيليكون 0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm
اتصل

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:35:24
يشتري 4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-Level N-Type 350.0 ± 25.0μM MPD≤0.5 / Cm2 المقاومة 0.015Ω • سم - 0.025Ω • سم الانترنت الشركة المصنعة

4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-Level N-Type 350.0 ± 25.0μM MPD≤0.5 / Cm2 المقاومة 0.015Ω • سم - 0.025Ω • سم
اتصل

4inch 4H-SiC substrate D-level N-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview High Temperature Devices Because SiC has a high thermal conductivity, SiC ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:25
يشتري 100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 &quot;P الصف 18.0mm الانترنت الشركة المصنعة

100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 "P الصف 18.0mm
اتصل

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:01:26
يشتري JDZJ01-001-004 SiC سبيكة كريستال 6 &quot;درجة P. الانترنت الشركة المصنعة

JDZJ01-001-004 SiC سبيكة كريستال 6 "درجة P.
اتصل

SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula is SiC. Since the late 19th century silicon carbide has ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:42:33
يشتري الطول الأساسي المسطح 32.5 مم بلور كربيد السيليكون 4 &quot;P الصف 100.0 مم الانترنت الشركة المصنعة

الطول الأساسي المسطح 32.5 مم بلور كربيد السيليكون 4 "P الصف 100.0 مم
اتصل

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:01:05
يشتري 100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 &quot;P الصف Politype 4H الانترنت الشركة المصنعة

100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 "P الصف Politype 4H
اتصل

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... قراءة المزيد
2022-10-09 10:12:00
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.