طلب اقتباس |
منزل

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. معلومات الاتصال

جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
عنوان : مبنى 11 ، لين 1333 ، شارع جيانغنان ، مدينة تشانغشينغ ، منطقة تشونغ مينغ ، شنغهاي
عنوان المصنع : مبنى 11 ، لين 1333 ، شارع جيانغنان ، مدينة تشانغشينغ ، منطقة تشونغ مينغ ، شنغهاي
وقت العمل : 9：10-18:00(بتوقيت بكين)
هاتف العمل : 86-18962520616(غير وقت العمل)
اتصل بنا :
إرسال استفسارك مباشرة لنا
(0 / 3000)

اتصل شخص : Xiwen Bai (Ciel)
هاتف العمل : +8613372109561
WHATSAPP : +8613372109561
WeChat : +8613372109561
البريد الإلكتروني : baixiwen2022@ganova.com.cn
اتصل شخص : Adela
هاتف العمل : +8615962257010
البريد الإلكتروني : daidongyun2020@ganova.com.cn
تفاصيل الاتصال
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

اتصل شخص: Xiwen Bai (Ciel)

الهاتف :: +8613372109561

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN المزود. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.