الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. خريطة الموقع

رقاقة فوق المحور GaN

• 2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing
• ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF
• ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة
• نيتريد الغاليوم رقاقة أشباه الموصلات 325um 375um C الطائرة

رقاقة سيك Epitaxial

• رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um
• 6 بوصة N نوع رقاقة P MOS درجة 4H SiC الركيزة 350.0 ± 25.0um
• 4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um
• P مستوى SI نوع 6 بوصة 4H SiC شبه عازلة 150 مم

ويفر GaAs Epi

• 2 بوصة GaAs Epi Wafer GaAs Undoped Substrates VGF
• S-C-N إجراء 2 بوصة GaAs غير المنبسطة الركائز عالية الحركة الإلكترونية
• 2 بوصة GaAs غير المنضدة ركائز GaAs Epi Wafer 0.4E18 إلى 1E18
• ركائز VGF GaAs غير مبطنة 2 بوصة GaAs Si Dopant

ركائز الماس CVD

• ركائز الماس CVD الإلكترونية الصف عازل ثابت 5.5
• XRD
• 3 × 3 مم 2 ركائز ماسية CVD N محتوى
• N المحتوى

نظام التلدين الحراري السريع

• تحفيز الإنتاج معالجة حرارية سريعة RTP-SA-8 نظام التسخين
• نظام التلدين الحراري السريع 150 مم بثلاث مجموعات من غازات المعالجة

اختبار استشعار تأثير القاعة

• معامل هول تأثير هول قياس مقاومة استشعار الحركة
• تركيز حاملة تأثير قاعة اختبار الاستشعار صناعة أشباه الموصلات
• مواد أشباه الموصلات قياس تركيز جهاز استشعار تأثير القاعة

رقاقة نيتريد الألومنيوم

• 1 '' AlN AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer 400um S / P / R Grade Chemical Polishing
• 25.4mm 1inch AlN Single Crystal 400um 2H Crystal Form
• رقاقة نيتريد ألومنيوم أحادية الكريستال مقاس 1 بوصة سعة 450 ميكرون
• المستوى C AIN على ويفر الياقوت مصقول جانب واحد أو مزدوج

رقاقة ليزر ديود

• تيار عتبة 0.5A ليزر ديود رقاقة ليزر طباعة المنحدر كفاءة 1.0W / A
• 915nm 10W COS ديود ليزر رقاقة على التصميم الفرعي
• 915nm الليزر ديود رقاقة الطباعة سطح جبل الحزمة القياسية
• حجم الباعث 94um رقاقة ليزر ديود على التصميم الفرعي عتبة التيار 0.5A

كريستال كربيد السيليكون

• الطول الأساسي المسطح 32.5 مم بلور كربيد السيليكون 4 "P الصف 100.0 مم
• 4H Politype أحادي كريستال السيليكون كربيد 4 "P الصف Si الوجه
• 0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm كربيد السيليكون نوع الكريستال N.
• 100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 "P الصف 18.0mm

ويفر Ga2O3

• FWHM
• جانب واحد مصقول Ga2O3 الركيزة أحادية الكريستال سماكة 0.6 مم 0.8 مم
• 10x10mm Ga2O3 رقاقة 10x15mm ركيزة كريستال واحدة
• أشباه الموصلات أحادية الكريستال أكسيد الغاليوم الركيزة UID المنشطات

رقاقة السيليكون

• 0.001-100 أوم سم سيليكون ويفر نوع P بورون دوبانت
• الأجهزة المنفصلة Si الركائز P / E P / P E / E G / G السطح منتهية
• رقاقة Prime 2 بوصة من السيليكون القياسي
• الركيزة الإلكترونية الدقيقة 279um السيليكون فوق المحاور رقاقة الأولية

ويفر ياقوت

• ويفر الياقوت 50 مم R9 مرآة مصقولة EPI ويفر جاهز حافة نوع R
• Thk 430um الياقوت الكريستال الركيزة الكريستال C / M0.2
• سطح مستوي توجيه الياقوت مرآة ويفر مصقول EPI جاهز
• عالية النقاء Al2O3 50 مم الياقوت الركيزة ويفر Thk 430 ميكرون

ركائز الياقوت المنقوشة

• زاوية الحافة المسطحة 16 مم من الياقوت المنقوش السطح الأمامي
• رقاقة كريستال زفير منقوشة 2 بوصة ياقوت أزرق
• 50.80 مم من الياقوت المنقوش ركائز 430um طائرة
• الظهر صنع الليزر منقوشة PSS الياقوت الركيزة TTV 5um

حامل بسكويت تفلون

• حامل بسكويت ويفر بحجم 6 انش لتنظيف سلال ومقابض الورد

آلة تقطيع الويفر

• 0.1 مم / ثانية إلى 600 مم / ثانية آلة تقطيع البسكويت X محور نطاق القطع 260 مم
• آلة تقطيع بسكويت الويفر السليكونية 260 مم منشار تقطيع أوتوماتيكي
• آلة تقطيع البسكويت الأوتوماتيكية 8 بوصة 250 مم × 250 مم 300 مم
• آلة تقطيع البسكويت الويفر 8 بوصة X نطاق قطع المحور 260 مم 1.8 KW 2.2 KW