الرجاء ترك بريدك الإلكتروني الصحيح ومتطلباتك التفصيلية (20-3000 حرف).

حسنا

منزل

الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. خريطة الموقع

جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN
(65)

رقاقة سيك Epitaxial
(39)

ويفر GaAs Epi
(15)

ركائز الماس CVD
(15)

نظام التلدين الحراري السريع
(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة
(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم
(21)

رقاقة ليزر ديود
(10)

كريستال كربيد السيليكون
(12)

ويفر Ga2O3
(13)

رقاقة السيليكون
(26)

ويفر ياقوت
(19)

ركائز الياقوت المنقوشة
(10)

حامل بسكويت تفلون
(1)

آلة تقطيع الويفر
(5)

شهادة

الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات

ابن دردش الآن

الشركة

حول نا:

المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة نيتريد الألومنيوم

رقاقة السيليكون

ويفر ياقوت

Page 5 of 17|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

تفاصيل الاتصال

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

اتصل شخص: Xiwen Bai (Ciel)

الهاتف :: +8613372109561

الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. خريطة الموقع

رقاقة فوق المحور GaN

رقاقة سيك Epitaxial

ويفر GaAs Epi

ركائز الماس CVD

نظام التلدين الحراري السريع

اختبار استشعار تأثير القاعة

رقاقة نيتريد الألومنيوم

رقاقة ليزر ديود

كريستال كربيد السيليكون

ويفر Ga2O3

رقاقة السيليكون

ويفر ياقوت

ركائز الياقوت المنقوشة

حامل بسكويت تفلون

آلة تقطيع الويفر

رقاقة فوق المحور GaN

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة نيتريد الألومنيوم

رقاقة السيليكون

ويفر ياقوت

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP