الصين رقاقة السيليكون

• 

  0.001-100 أوم سم سيليكون ويفر نوع P بورون دوبانت

  قطر الدائرة:2 بوصة

  درجة:رئيس

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  الأجهزة المنفصلة Si الركائز P / E P / P E / E G / G السطح منتهية

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  قطر الدائرة:2 بوصة

  درجة:رئيس

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة Prime 2 بوصة من السيليكون القياسي

  قطر الدائرة:2 بوصة

  درجة:رئيس

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  الركيزة الإلكترونية الدقيقة 279um السيليكون فوق المحاور رقاقة الأولية

  درجة:رئيس

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  النوع / Dopant:نوع P / البورون ، نوع N / فوس ، نوع N / As ، نوع N / Sb

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  N Type Phos Silicon Wafer 3 "سماكة 279um 380um 525um 625um

  النوع / Dopant:نوع P / البورون ، نوع N / فوس ، نوع N / As ، نوع N / Sb

  سمك (ميكرومتر):279

  سماكة التسامح:معيار ± 25 ميكرومتر ، الحد الأقصى للقدرات ± 5 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  4 "5" 6 "Si Wafer P Type / Boron N Type / As N Type / Sb

  قطر الدائرة:2 بوصة

  درجة:رئيس

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  طريقة النمو تشيكوسلوفاكيا سيليكون ويفر 5 "التوجيه<1-0-0>و<1-1-1>و<1-1-0>

  قطر الدائرة:2 بوصة

  درجة:رئيس

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  أجهزة أشباه الموصلات 2 بوصة رقائق السيليكون الركيزة 8 "12"

  قطر الدائرة:2 بوصة

  درجة:رئيس

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  نوع N نوع Sb N كرقاقة سيليكون 6 بوصة 8 بوصة

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  توجيه:<1-0-0> ، <1-1-1> ، <1-1-0>

  النوع / Dopant:نوع P / البورون ، نوع N / فوس ، نوع N / As ، نوع N / Sb

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة CZ السيليكون أشباه الموصلات 380um 525um 625um

  توجيه:<1-0-0> ، <1-1-1> ، <1-1-0>

  سمك (ميكرومتر):279

  سماكة التسامح:معيار ± 25 ميكرومتر ، الحد الأقصى للقدرات ± 5 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  12 بوصة رقاقة السيليكون P نوع البورون N نوع Phos

  قطر الدائرة:12 بوصة

  درجة:رئيس

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  سطح بسكويت الويفر 8 بوصة مصقول P / E P / P E / E / G / G

  قطر الدائرة:8 بوصة

  درجة:رئيس

  طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ