الصين رقاقة السيليكون

الأجهزة المنفصلة 2 بوصة سمك رقاقة السيليكون 675um 725um 775um

قطر الدائرة:2 بوصة

درجة:رئيس

طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا
775um 725um 675um 8 بوصة أجهزة رقاقة أشباه الموصلات

قطر الدائرة:2 بوصة

درجة:رئيس

طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا
2 '' رقاقة السيليكون أشباه الموصلات سمك 279μm

قطر الدائرة:2 بوصة

توجيه:<1-0-0> ، <1-1-1> ، <1-1-0>

النوع / Dopant:نوع P / البورون ، نوع N / فوس ، نوع N / As ، نوع N / Sb
أجهزة MEMS ركائز السيليكون دوائر متكاملة مخصصة

قطر الدائرة:2 بوصة

درجة:رئيس

طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا
JDCD06-001-003 أجهزة بسكويت الويفر MEMS مقاس 4 بوصات ودوائر متكاملة وركائز مخصصة للأجهزة المنفصلة

قطر الدائرة:4 بوصة

درجة:رئيس

طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا
JDCD06-001-002 أجهزة بسكويت الويفر MEMS مقاس 3 بوصات من السيليكون ، دوائر متكاملة ، ركائز مخصصة للأجهزة المنفصلة

قطر الدائرة:3 "

درجة:رئيس

طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا
JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing

توجيه:<100> ، <111>

النوع / Dopant:نوع P / البورون ، نوع N / فوس ، نوع N / As ، نوع N / Sb

سمك (ميكرومتر):300-725
JDCD07-001-004 7-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing

قطر الدائرة:7 بوصة

توجيه:<100> ، <111>

النوع / Dopant:نوع P / البورون ، نوع N / فوس ، نوع N / As ، نوع N / Sb
JDCD07-001-002 5-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing

توجيه:<100> ، <111>

النوع / Dopant:نوع P / البورون ، نوع N / فوس ، نوع N / As ، نوع N / Sb

التوحيد:<5٪
JDCD07-001-001 4-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing

قطر الدائرة:4 بوصة

توجيه:<100>و<111>

النوع / Dopant:نوع P / البورون ، نوع N / فوس ، نوع N / As ، نوع N / Sb
JDCD06-001-007 أجهزة بسكويت الويفر MEMS مقاس 12 بوصة من السيليكون ، دوائر متكاملة ، ركائز مخصصة للأجهزة المنفصلة

قطر الدائرة:12 بوصة

درجة:رئيس

طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا
JDCD06-001-006 أجهزة بسكويت الويفر MEMS مقاس 8 بوصات ودوائر متكاملة وركائز مخصصة للأجهزة المنفصلة

قطر الدائرة:8 بوصة

درجة:رئيس

طريقة النمو:تشيكوسلوفاكيا

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

رقاقة السيليكون

الصين رقاقة السيليكون

الأجهزة المنفصلة 2 بوصة سمك رقاقة السيليكون 675um 725um 775um

775um 725um 675um 8 بوصة أجهزة رقاقة أشباه الموصلات

2 '' رقاقة السيليكون أشباه الموصلات سمك 279μm

أجهزة MEMS ركائز السيليكون دوائر متكاملة مخصصة

JDCD06-001-003 أجهزة بسكويت الويفر MEMS مقاس 4 بوصات ودوائر متكاملة وركائز مخصصة للأجهزة المنفصلة

JDCD06-001-002 أجهزة بسكويت الويفر MEMS مقاس 3 بوصات من السيليكون ، دوائر متكاملة ، ركائز مخصصة للأجهزة المنفصلة

JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing

JDCD07-001-004 7-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing

JDCD07-001-002 5-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing

JDCD07-001-001 4-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing

JDCD06-001-007 أجهزة بسكويت الويفر MEMS مقاس 12 بوصة من السيليكون ، دوائر متكاملة ، ركائز مخصصة للأجهزة المنفصلة

JDCD06-001-006 أجهزة بسكويت الويفر MEMS مقاس 8 بوصات ودوائر متكاملة وركائز مخصصة للأجهزة المنفصلة

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP