الصين ويفر Ga2O3

• 

  FWHM

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  توجيه:010

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  جانب واحد مصقول Ga2O3 الركيزة أحادية الكريستال سماكة 0.6 مم 0.8 مم

  رع:≤0.5 نانومتر

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  10x10mm Ga2O3 رقاقة 10x15mm ركيزة كريستال واحدة

  توجيه:（010 (201)

  أبعاد:10*10mm; 10 * 10 مم ؛ 10*15mm 10 * 15 ملم

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  أشباه الموصلات أحادية الكريستال أكسيد الغاليوم الركيزة UID المنشطات

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  توجيه:（010 (201)

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  10x15mm2 UID مخدر قائما بذاته Ga2O3 رقاقة تلميع واحد

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  توجيه:（010 (201)

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رع 0.3 نانومتر Ga2O3 رقاقة كريستال أحادي المحور 2 بوصة 4 بوصة

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  توجيه:201）

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  Sn Doping Ga2O3 رقاقة كريستال أحادية الركيزة 10x10mm2

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  توجيه:(201)

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  Ga2O3 Fe Doped Wafer ركيزة كريستال أحادية 10x10 مم 2 قائمة بذاتها

  FWHM:<350 كاركسيك

  سطح مصقول:جانب واحد مصقول

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  جانب واحد مصقول من رقاقة Ga2O3 ويفر طبقة كريستال واحدة

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  سطح مصقول:جانب واحد مصقول

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  0.6mm 0.8mm Ga2O3 الركيزة الكريستال واحد تلميع واحد

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  توجيه:(201)

  سطح مصقول:جانب واحد مصقول

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  JDCD04-001-007 10x10mm2 (010) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  توجيه:(101)

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي

  سماكة:0.6 ~ 0.8 ملم

  اسم المنتج:ركيزة بلورية واحدة

  توجيه:201）

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ