منزل المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

أفضل المنتجات

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

أبعاد:50.8 ± 1 ملم

اسم المنتج:ركائز GaN قائمة بذاتها

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

أبعاد:50.8 ± 1 ملم

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

ينحني:- 10 ميكرون ، قوس ، 10 ميكرون
ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

أبعاد:50.8 ± 1 ملم

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

TTV:≤ 10 ميكرومتر
نيتريد الغاليوم رقاقة أشباه الموصلات 325um 375um C الطائرة

اسم المنتج:الركيزة البلورية المفردة GaN

أبعاد:50.8 ± 1 ملم

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
375 um GaN Epitaxial Wafer قائم بذاته U-GaN SI-GaN ركائز

اسم المنتج:ركائز U-GaN / SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

أبعاد:50.8 ± 1 مم

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
ركائز 2 بوصة U GaN SI GaN 50.8mm

اسم المنتج:ركائز U-GaN / SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

أبعاد:50.8 ± 1 مم

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
رقاقة كريستال أحادية GaN Epitaxial 2 بوصة C وجه Un Doped N.

اسم المنتج:ركائز U-GaN / SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

أبعاد:50.8 ± 1 مم

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
50.8 مم غاليوم نيتريد أشباه الموصلات ويفر 2 بوصة قائمة بذاتها

اسم المنتج:ركائز U-GaN / SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

خشونة سطح الوجه Ga:<0.2 نانومتر (مصقول) أو <0.3 نانومتر (مصقول ومعالجة سطحية للتضخم)

الاتجاه مسطح:(1-100) ± 0.5 درجة ، 16 ± 1 ملم
رقاقة U / SI GaN فوق المحورية قائمة بذاتها 50.8 مم 350 ميكرون

اسم المنتج:ركائز U-GaN / SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

أبعاد:50.8 ± 1 مم

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
SP الوجه 5 × 10 مم 2 نيتريد الغاليوم 350um

اسم المنتج:ركائز GaN قائمة بذاتها

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

TTV:≤ 10 ميكرومتر
5x10mm2 GaN Epitaxial Wafer Un Doped SI Type

اسم المنتج:الركيزة البلورية الأحادية الجاليوم القائمة بذاتها

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

TTV:≤ 10 ميكرومتر
الجاليوم أحادي الكريستال نيتريد الجاليوم نوع SI

أبعاد:5 × 10 ملم²

اسم المنتج:ركائز GaN قائمة بذاتها

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

Page 1 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

تصفح التصنيفات：

رقاقة فوق المحور GaN

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

نيتريد الغاليوم رقاقة أشباه الموصلات 325um 375um C الطائرة

375 um GaN Epitaxial Wafer قائم بذاته U-GaN SI-GaN ركائز

ركائز 2 بوصة U GaN SI GaN 50.8mm

رقاقة كريستال أحادية GaN Epitaxial 2 بوصة C وجه Un Doped N.

50.8 مم غاليوم نيتريد أشباه الموصلات ويفر 2 بوصة قائمة بذاتها

رقاقة U / SI GaN فوق المحورية قائمة بذاتها 50.8 مم 350 ميكرون

SP الوجه 5 × 10 مم 2 نيتريد الغاليوم 350um

5x10mm2 GaN Epitaxial Wafer Un Doped SI Type

الجاليوم أحادي الكريستال نيتريد الجاليوم نوع SI

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP