منزل المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

أفضل المنتجات

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

غان غان أوبيتاكسيال فوفير ضرورية لإنتاج رقاقة عالية الجهد عالية التردد

النوع::زفير مسطح

البولندي:جانب واحد مصقول (SSP) / جانب مزدوج مصقول (DSP)

البعد:50.8±0.2 ملم (2 بوصة)/100±0.2 ملم (4 بوصة)/150 +0.2 ملم (6 بوصة)
625um إلى 675um 4 بوصة زرقاء LED غاليوم نتريد GaN الوعاء الظهري على الزفير SSP الزفير المسطح

اسم المنتج:4 بوصة GaN-on-Sapphire Blue / Green رقاقة LED

النوع:زفير مسطح

السماكة:650 ± 25 ميكرومتر
GaN 2 بوصة نتريد الغاليوم رصيف بلورية واحدة

الحد الأدنى لكمية:1

تفاصيل التغليف:التغليف الداخلي: صندوق تغليف خاص بالرقاقة، التغليف الخارجي: تغليف صندوق من الورق المقوى، فيلم مدمج م

شروط الدفع:T/T
واحد كريستال غان Epi وافر غاليوم نتريد الركيزة 4 بوصة

الحد الأدنى لكمية:1

تفاصيل التغليف:التغليف الداخلي: صندوق تغليف خاص بالرقاقة، التغليف الخارجي: تغليف صندوق من الورق المقوى، فيلم مدمج م

شروط الدفع:T/T
4 بوصات من نتريد الغاليوم

الحد الأدنى لكمية:1

تفاصيل التغليف:التغليف الداخلي: صندوق تغليف خاص بالرقاقة، التغليف الخارجي: تغليف صندوق من الورق المقوى، فيلم مدمج م

شروط الدفع:T/T
2 بوصة Green-LED GaN على أبعاد رقاقة السيليكون 520 ± 10 نانومتر

اسم المنتج:Green-LED GaN على رقاقة السيليكون

مقاس:2 بوصة 4 بوصة

هيكل الركيزة:20 نانومتر طبقة الاتصال / 145nmpGaN / 35nmAlGaN / ~ 10nmGaN-QB / ~ 3Si (111) ركائز
5 * 10mm2 SP-Face (20-21) / (20-2-1) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

TTV:≤ 10 ميكرومتر
5 * 10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity

أبعاد:5 × 10 ملم²

توجيه:(11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور M 0 ± 0.5 ° (11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور C

TTV:≤ 10 ميكرومتر
5 * 10mm2 SP-Face (11-12) N-Doped Un-Doped Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

توجيه:(11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور M 0 ± 0.5 ° (11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور C
5 * 10 مم 2 M-Face Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Devices Wafer

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

ينحني:- 10 ميكرون ، قوس ، 10 ميكرون
5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

TTV:≤ 10 ميكرومتر
5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

توجيه:(10-11) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور A 0 ± 0.5 ° (10-11) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور C

Page 5 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

تصفح التصنيفات：

رقاقة فوق المحور GaN

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

غان غان أوبيتاكسيال فوفير ضرورية لإنتاج رقاقة عالية الجهد عالية التردد

625um إلى 675um 4 بوصة زرقاء LED غاليوم نتريد GaN الوعاء الظهري على الزفير SSP الزفير المسطح

GaN 2 بوصة نتريد الغاليوم رصيف بلورية واحدة

واحد كريستال غان Epi وافر غاليوم نتريد الركيزة 4 بوصة

4 بوصات من نتريد الغاليوم

2 بوصة Green-LED GaN على أبعاد رقاقة السيليكون 520 ± 10 نانومتر

5 * 10mm2 SP-Face (20-21) / (20-2-1) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

5 * 10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity

5 * 10mm2 SP-Face (11-12) N-Doped Un-Doped Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

5 * 10 مم 2 M-Face Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Devices Wafer

5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP