منزل المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

أفضل المنتجات

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

5 * 10 مم 2 M-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

TTV:≤ 10 ميكرومتر
5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Device

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

توجيه:(10-11) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور A 0 ± 0.5 ° (10-11) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور C
5 * 10 مم 2 A-face غير مخدر من النوع n القائم بذاته من الكريستال الأحادي المقاومة المقاومة

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

توجيه:مستوى انحراف زاوية (11-20) باتجاه المحور M 0 ± 0.5 ° A مستوى (11-20) خارج الزاوية باتجاه المحور C -
5 * 10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶Ω · Cm RF Device

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

توجيه:(11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور M 0 ± 0.5 ° (11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور C
5 * 10 مم 2 A-Face Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Devices Wafer

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

TTV:≤ 10 ميكرومتر
10 * 10.5 مم 2 GaN الركيزة البلورية الأحادية C الطائرة (0001) إيقاف الزاوية باتجاه المحور M 0.35 ± 0.15 درجة

أبعاد:10 × 10.5 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

توجيه:مستوى C (0001) خارج الزاوية باتجاه المحور M 0.35 ± 0.15 درجة
سماكة 350 ± 25 ميكرومتر 10 × 10.5 مم 2 ركائز GaN قائمة بذاتها

اسم المنتج:ركائز GaN قائمة بذاتها

أبعاد:10 × 10.5 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
10 * 10.5mm2 GaN أحادي سمك الركيزة البلورية 350 ± 25 ميكرومتر TTV ≤ 10 ميكرومتر

اسم المنتج:رقاقة فوق المحور GaN

أبعاد:10 * 10.5 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
4 بوصة N- نوع Si-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＜ 0.05 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial

اسم المنتج:4-inch Si-doped GaN / Sapphire الركائز

سمك / سمك STD:4.5 ± 0.5 ميكرومتر / <3٪

توجيه:مستوى C (0001) خارج الزاوية باتجاه المحور A 0.2 ± 0.1 درجة
ركائز GaN خشونة سطح الوجه

اسم المنتج:الركيزة البلورية المفردة GaN

أبعاد:10 × 10.5 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
سمك عازلة AlGaN 600nm 2 بوصة أزرق-LED GaN على رقاقة السيليكون

أبعاد:2 بوصة / 4 بوصة

سمك العازلة AlGaN:600 ميل بحري

Longueur d’onde الليزر:455 ± 10 نانومتر
2 ′′ 6 بوصة نوع N GaN على سفير رقائق البطاطس للجهاز LED ليزر PIN

النوع::زفير مسطح

البولندي:جانب واحد مصقول (SSP) / جانب مزدوج مصقول (DSP)

البعد:50.8±0.2 ملم (2 بوصة)/100±0.2 ملم (4 بوصة)/150 +0.2 ملم (6 بوصة)

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

تصفح التصنيفات：

رقاقة فوق المحور GaN

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

5 * 10 مم 2 M-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Device

5 * 10 مم 2 A-face غير مخدر من النوع n القائم بذاته من الكريستال الأحادي المقاومة المقاومة

5 * 10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶Ω · Cm RF Device

5 * 10 مم 2 A-Face Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Devices Wafer

10 * 10.5 مم 2 GaN الركيزة البلورية الأحادية C الطائرة (0001) إيقاف الزاوية باتجاه المحور M 0.35 ± 0.15 درجة

سماكة 350 ± 25 ميكرومتر 10 × 10.5 مم 2 ركائز GaN قائمة بذاتها

10 * 10.5mm2 GaN أحادي سمك الركيزة البلورية 350 ± 25 ميكرومتر TTV ≤ 10 ميكرومتر

4 بوصة N- نوع Si-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＜ 0.05 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial

ركائز GaN خشونة سطح الوجه

سمك عازلة AlGaN 600nm 2 بوصة أزرق-LED GaN على رقاقة السيليكون

2 ′′ 6 بوصة نوع N GaN على سفير رقائق البطاطس للجهاز LED ليزر PIN

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP