الصين رقاقة فوق المحور GaN

كثافة العيب الكلي 0cm-2 غير مرفوعة النوع SI المستقرة GaN الرواسب البلورية الوحيدة لأجهزة RF 5 * 10mm2 وجه M

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

ينحني:- 10 ميكرون ، قوس ، 10 ميكرون
TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate مقاومة 0.1 Ω · cm جهاز الطاقة / الليزر W

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

توجيه:مستوى انحراف زاوية (11-20) باتجاه المحور M 0 ± 0.5 ° A مستوى (11-20) خارج الزاوية باتجاه المحور C -
10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Standing Free-Standing GaN Single Crystal Substrate عيب كبير كثافة 0cm−2 TTV ≤ 10 μm مقاومة 106 Ω·Cm أجهزة الراديو الراديوي

أبعاد:10 × 10.5 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

TTV:≤ 10 ميكرومتر
2 بوصة LED أخضر GaN على رقاقة السيليكون طول 520 ± 10nm

اسم المنتج:Green-LED GaN على رقاقة السيليكون

مقاس:2 بوصة 4 بوصة

هيكل الركيزة:20 نانومتر طبقة الاتصال / 145nmpGaN / 35nmAlGaN / ~ 10nmGaN-QB / ~ 3Si (111) ركائز
10 × 10.5 ملم مربع C وجه غير مسبوب N نوع قائمة حرة GaN رصيف واحد

اسم المنتج:الركيزة البلورية المفردة GaN

أبعاد:10 × 10.5 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
10 × 10.5 ملم مربع أسطوانات GaN قائمة بحرية - 10 ملم ≤ BOW ≤ 10 ملم

اسم المنتج:رقاقة فوق المحور GaN

أبعاد:10 × 10.5 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
4 بوصة N- نوع UID-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＞ 0.5 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial

أبعاد:100 ± 0.2 مم

سمك / سمك STD:4.5 ± 0.5 ميكرومتر / <3٪

توجيه:مستوى C (0001) خارج الزاوية باتجاه المحور A 0.2 ± 0.1 درجة
4 بوصة P-Type Mg-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ~ 10Ω سم LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial

أبعاد:100 ± 0.2 مم

اسم المنتج:4-inch Mg-doped GaN / Sapphire الركائز

نوع التوصيل:نوع P.
4-Inch Mg-Doped GaN / Sapphire الركائز SSP ~ 10Ω cm LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial

اسم المنتج:4-inch Mg-doped GaN / Sapphire الركائز

أبعاد:100 ± 0.2 مم

نوع التوصيل:نوع P.
2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF

أبعاد:50.8 ± 1 مم

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

الاتجاه مسطح:(1-100) ± 0.5 درجة ، 16 ± 1 ملم
2 بوصة Blue-LED GaN on Silicon Wafer Longueur D’Onde Laser 455 ± 10nm

اسم المنتج:أزرق- LED GaN على رقاقة سيليكون

أبعاد:2 بوصة

سمك العازلة AlGaN:400-600 نانومتر
البعد 520 ± 10 نانومتر 2 بوصة أخضر-LED GaN على رقاقة السيليكون 20 نانومتر طبقة الاتصال

اسم المنتج:2-4inch Green-LED GaN على السيليكون

مقاس:2 بوصة ، 4 بوصة

البعد:520 ± 10 نانومتر

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

رقاقة فوق المحور GaN

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

كثافة العيب الكلي 0cm-2 غير مرفوعة النوع SI المستقرة GaN الرواسب البلورية الوحيدة لأجهزة RF 5 * 10mm2 وجه M

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate مقاومة 0.1 Ω · cm جهاز الطاقة / الليزر W

10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Standing Free-Standing GaN Single Crystal Substrate عيب كبير كثافة 0cm−2 TTV ≤ 10 μm مقاومة 106 Ω·Cm أجهزة الراديو الراديوي

2 بوصة LED أخضر GaN على رقاقة السيليكون طول 520 ± 10nm

10 × 10.5 ملم مربع C وجه غير مسبوب N نوع قائمة حرة GaN رصيف واحد

10 × 10.5 ملم مربع أسطوانات GaN قائمة بحرية - 10 ملم ≤ BOW ≤ 10 ملم

4 بوصة N- نوع UID-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＞ 0.5 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial

4 بوصة P-Type Mg-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ~ 10Ω سم LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial

4-Inch Mg-Doped GaN / Sapphire الركائز SSP ~ 10Ω cm LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial

2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF

2 بوصة Blue-LED GaN on Silicon Wafer Longueur D’Onde Laser 455 ± 10nm

البعد 520 ± 10 نانومتر 2 بوصة أخضر-LED GaN على رقاقة السيليكون 20 نانومتر طبقة الاتصال

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP