الصين رقاقة فوق المحور GaN

• 

  5 * 10 مم 2 SP-Face (20-21) / (20-2-1) N-Doped Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

  أبعاد:5 × 10 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  TTV:≤ 10 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  5 * 10 مم 2 A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity

  أبعاد:5 × 10 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  توجيه:مستوى انحراف زاوية (11-20) باتجاه المحور M 0 ± 0.5 ° A مستوى (11-20) خارج الزاوية باتجاه المحور C -

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  10 X 10.5 مم 2 ركائز GaN قائمة بذاتها - 10 ميكرومتر ، BOW ، 10 ميكرومتر

  اسم المنتج:رقاقة فوق المحور GaN

  أبعاد:10 × 10.5 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  10 * 10.5 مم 2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Devices Wafer

  أبعاد:10 × 10.5 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  TTV:≤ 10 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  10 X 10.5 مم 2 C-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate

  اسم المنتج:الركيزة البلورية المفردة GaN

  أبعاد:10 × 10.5 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ