منزل المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

أفضل المنتجات

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

رقاقة ياقوتية مسطحة مقاس 4 بوصة مزودة بإضاءة ليد زرقاء من الغاليوم فوق المحور على Sapphire SSP

اسم المنتج:4 بوصة GaN-on-Sapphire Blue / Green رقاقة LED

سماكة:650 ± 25 ميكرومتر

توجيه:مستوى C (0001) خارج الزاوية باتجاه المحور M 0.2 ± 0.1 درجة
ركائز N GaN قائمة بذاتها N خشونة سطح الوجه 0.5 ميكرومتر إلى 1.5 ميكرومتر

اسم المنتج:ركائز N-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

أبعاد:50.0 ± 0.3 مم

غرض:GaN-FS-CN-C50-SSP
100 مم 4 بوصة الأزرق LED GaN فوق المحاور رقاقة على الياقوت SSP سمك 5um - 6um

يكتب:زفير مسطح

اسم المنتج:4 بوصة GaN-on-Sapphire Blue / Green رقاقة LED

تلميع:جانب واحد مصقول (SSP) / جانب مزدوج مصقول (DSP)
12.5 مم 2 بوصة قائمة بذاتها N GaN Epi Wafer Si Doped

اسم المنتج:ركائز N-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

أبعاد:50.0 ± 0.3 مم

سماكة:400 ± 30 ميكرومتر
4 بوصة الأزرق LED GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire

يكتب:زفير مسطح

اسم المنتج:4 بوصة GaN-on-Sapphire Blue / Green رقاقة LED

تلميع:جانب واحد مصقول (SSP) / جانب مزدوج مصقول (DSP)
وجه N نوع قائم بذاته من الجاليوم الغاليوم الركيزة البلورية الأحادية غير المخدرة

اسم المنتج:الركيزة البلورية المفردة GaN

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
4 بوصة N- نوع UID-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＞ 0.5 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial

أبعاد:100 ± 0.2 مم

سمك / سمك STD:4.5 ± 0.5 ميكرومتر / <3٪

توجيه:مستوى C (0001) خارج الزاوية باتجاه المحور A 0.2 ± 0.1 درجة
4 بوصة P-Type Mg-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ~ 10Ω سم LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial

أبعاد:100 ± 0.2 مم

اسم المنتج:4-inch Mg-doped GaN / Sapphire الركائز

نوع التوصيل:نوع P.
4-Inch Mg-Doped GaN / Sapphire الركائز SSP ~ 10Ω cm LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial

اسم المنتج:4-inch Mg-doped GaN / Sapphire الركائز

أبعاد:100 ± 0.2 مم

نوع التوصيل:نوع P.
2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF

أبعاد:50.8 ± 1 مم

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

الاتجاه مسطح:(1-100) ± 0.5 درجة ، 16 ± 1 ملم
2 بوصة Blue-LED GaN on Silicon Wafer Longueur D’Onde Laser 455 ± 10nm

اسم المنتج:أزرق- LED GaN على رقاقة سيليكون

أبعاد:2 بوصة

سمك العازلة AlGaN:400-600 نانومتر
البعد 520 ± 10 نانومتر 2 بوصة أخضر-LED GaN على رقاقة السيليكون 20 نانومتر طبقة الاتصال

اسم المنتج:2-4inch Green-LED GaN على السيليكون

مقاس:2 بوصة ، 4 بوصة

البعد:520 ± 10 نانومتر

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

تصفح التصنيفات：

رقاقة فوق المحور GaN

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

رقاقة ياقوتية مسطحة مقاس 4 بوصة مزودة بإضاءة ليد زرقاء من الغاليوم فوق المحور على Sapphire SSP

ركائز N GaN قائمة بذاتها N خشونة سطح الوجه 0.5 ميكرومتر إلى 1.5 ميكرومتر

100 مم 4 بوصة الأزرق LED GaN فوق المحاور رقاقة على الياقوت SSP سمك 5um - 6um

12.5 مم 2 بوصة قائمة بذاتها N GaN Epi Wafer Si Doped

4 بوصة الأزرق LED GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire

وجه N نوع قائم بذاته من الجاليوم الغاليوم الركيزة البلورية الأحادية غير المخدرة

4 بوصة N- نوع UID-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＞ 0.5 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial

4 بوصة P-Type Mg-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ~ 10Ω سم LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial

4-Inch Mg-Doped GaN / Sapphire الركائز SSP ~ 10Ω cm LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial

2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF

2 بوصة Blue-LED GaN on Silicon Wafer Longueur D’Onde Laser 455 ± 10nm

البعد 520 ± 10 نانومتر 2 بوصة أخضر-LED GaN على رقاقة السيليكون 20 نانومتر طبقة الاتصال

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP