الصين رقاقة فوق المحور GaN

• 

  رقاقة ياقوتية مسطحة مقاس 4 بوصة مزودة بإضاءة ليد زرقاء من الغاليوم فوق المحور على Sapphire SSP

  اسم المنتج:4 بوصة GaN-on-Sapphire Blue / Green رقاقة LED

  سماكة:650 ± 25 ميكرومتر

  توجيه:مستوى C (0001) خارج الزاوية باتجاه المحور M 0.2 ± 0.1 درجة

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  ركائز N GaN قائمة بذاتها N خشونة سطح الوجه 0.5 ميكرومتر إلى 1.5 ميكرومتر

  اسم المنتج:ركائز N-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

  أبعاد:50.0 ± 0.3 مم

  غرض:GaN-FS-CN-C50-SSP

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  100 مم 4 بوصة الأزرق LED GaN فوق المحاور رقاقة على الياقوت SSP سمك 5um - 6um

  يكتب:زفير مسطح

  اسم المنتج:4 بوصة GaN-on-Sapphire Blue / Green رقاقة LED

  تلميع:جانب واحد مصقول (SSP) / جانب مزدوج مصقول (DSP)

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  12.5 مم 2 بوصة قائمة بذاتها N GaN Epi Wafer Si Doped

  اسم المنتج:ركائز N-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

  أبعاد:50.0 ± 0.3 مم

  سماكة:400 ± 30 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  4 بوصة الأزرق LED GaN Epitaxial Wafer C Plane Flat Sapphire

  يكتب:زفير مسطح

  اسم المنتج:4 بوصة GaN-on-Sapphire Blue / Green رقاقة LED

  تلميع:جانب واحد مصقول (SSP) / جانب مزدوج مصقول (DSP)

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  وجه N نوع قائم بذاته من الجاليوم الغاليوم الركيزة البلورية الأحادية غير المخدرة

  اسم المنتج:الركيزة البلورية المفردة GaN

  أبعاد:5 × 10 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  5*10mm2 SP-Face غير مدعومة من النوع N مستقل GaN رصيف واحد بلوري 20-21 / 20-2-1 10mm2 المقاومة 0.05 Ω·cm

  أبعاد:5 × 10 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  TTV:≤ 10 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  350 ± 25μm سمك غير مغلّط نوع N المستقرة GaN الرواسب الأحادية مع TTV ≤ 10μm والمقاومة 0.1 Ω·cm

  أبعاد:5 × 10 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  TTV:≤ 10 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  SP-Face 11-12 غير مُعديل النوع N-Standing GaN Single Crystal Substrate مقاومة 0.05 Ω·cm كثافة العيب الكلي 0cm−2

  أبعاد:5 × 10 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  توجيه:(11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور M 0 ± 0.5 ° (11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور C

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  جهاز الطاقة 5x10mm2 الغير مغلّط نوع N المستقرة GaN الروائح الأحادية الروائية مع المقاومة 0.1 Ω·cm و BOW داخل 10μm

  أبعاد:5 × 10 ملم²

  توجيه:(11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور M 0 ± 0.5 ° (11-22) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور C

  TTV:≤ 10 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  5x10mm2 SP-Face 10-11 الغير مغلب على نوع N المستقرة GaN Single Crystal Substrate مع TTV ≤ 10μm المقاومة 0.05 Ω·cm

  أبعاد:5 × 10 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  TTV:≤ 10 ميكرومتر

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  5*10mm2 SP-Face 10-11 غير معتدل النوع N-Standing GaN Single Crystal Substrate 0.1 Ω·cm المقاومة لجهاز الطاقة

  أبعاد:5 × 10 ملم²

  سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

  توجيه:(10-11) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور A 0 ± 0.5 ° (10-11) زاوية انحراف الطائرة باتجاه المحور C

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ