منزل المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

أفضل المنتجات

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Doped Si Type Gan طبقة كريستال واحدة

اسم المنتج:الركيزة البلورية الأحادية الجاليوم القائمة بذاتها

أبعاد:5 × 10 مم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
خشونة السطح الأمامي GaN على ركيزة GaN من رقاقة السيليكون

اسم المنتج:ركائز GaN القائمة على الوجه M

أبعاد:5 × 10.5 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

اسم المنتج:الركيزة GaN

أبعاد:5 × 10.5 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
Un Doped N Type GaN الركيزة الكريستالية الأحادية 5x10mm2 M الوجه

اسم المنتج:الركيزة البلورية المفردة GaN

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
Un Doped GaN Epitaxial Wafer M ركائز GaN قائمة بذاتها

اسم المنتج:ركيزة GaN قائمة بذاتها

أبعاد:5 × 10 مم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
غاليوم نيتريد ويفر بسمك 325 ميكرومتر - 375 ميكرومتر قائم بذاته

اسم المنتج:الركيزة البلورية المفردة GaN

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
5 × 10 مم 2 م سطح GaN فوق المحور سماكة الويفر 325um 375um

اسم المنتج:الركيزة GaN

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
رقاقة كريستال غاليوم نيتريد أشباه الموصلات TTV 10um

أبعاد:5 × 10 مم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر

TTV:≤ 10 ميكرومتر
ركائز GaN قائمة على الوجه فوق المحور Epitaxial Wafer

اسم المنتج:ركائز GaN قائمة بذاتها

أبعاد:5 × 10 ملم²

سماكة:350 ± 25 ميكرومتر
سماكة 370um 430um 2 بوصة GaN Epi Wafer Dimensions 50mm

اسم المنتج:ركائز N-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

ينحني:≤ 20 ميكرومتر

الاتجاه مسطح:(1-100) ± 0.1 درجة ، 12.5 ± 1 مم
625um إلى 675um 4 بوصة أزرق LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire

اسم المنتج:4 بوصة GaN-on-Sapphire Blue / Green رقاقة LED

يكتب:زفير مسطح

سماكة:650 ± 25 ميكرومتر
4 بوصة GaN على ويفر الياقوت الأزرق الأخضر رقاقة LED مسطحة الياقوت 100 مم

اسم المنتج:4 بوصة GaN-on-Sapphire Blue / Green رقاقة LED

سماكة:650 ± 25 ميكرومتر

يكتب:زفير مسطح

Page 2 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

تصفح التصنيفات：

رقاقة فوق المحور GaN

الركيزة البلورية المفردة GaN

Un Doped GaN Epitaxial Wafer

C الوجه الركيزة GaN

الصين رقاقة فوق المحور GaN

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Doped Si Type Gan طبقة كريستال واحدة

خشونة السطح الأمامي GaN على ركيزة GaN من رقاقة السيليكون

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Un Doped N Type GaN الركيزة الكريستالية الأحادية 5x10mm2 M الوجه

Un Doped GaN Epitaxial Wafer M ركائز GaN قائمة بذاتها

غاليوم نيتريد ويفر بسمك 325 ميكرومتر - 375 ميكرومتر قائم بذاته

5 × 10 مم 2 م سطح GaN فوق المحور سماكة الويفر 325um 375um

رقاقة كريستال غاليوم نيتريد أشباه الموصلات TTV 10um

ركائز GaN قائمة على الوجه فوق المحور Epitaxial Wafer

سماكة 370um 430um 2 بوصة GaN Epi Wafer Dimensions 50mm

625um إلى 675um 4 بوصة أزرق LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire

4 بوصة GaN على ويفر الياقوت الأزرق الأخضر رقاقة LED مسطحة الياقوت 100 مم

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP