طلب اقتباس |

منزل المنتجاتpatterned sapphire substrates oem

جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN
(65)

رقاقة سيك Epitaxial
(39)

ويفر GaAs Epi
(15)

ركائز الماس CVD
(15)

نظام التلدين الحراري السريع
(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة
(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم
(21)

رقاقة ليزر ديود
(10)

كريستال كربيد السيليكون
(12)

ويفر Ga2O3
(13)

رقاقة السيليكون
(26)

ويفر ياقوت
(19)

ركائز الياقوت المنقوشة
(10)

حامل بسكويت تفلون
(1)

آلة تقطيع الويفر
(5)

شهادة

ابن دردش الآن

patterned sapphire substrates oem التصنيع عبر الإنترنت

(1)

UKAS منقوشة الياقوت الركائز زاوية الحافة المسطحة
اتصل

قراءة المزيد

2022-10-09 10:45:47

Page 1 of 1

حول

رقاقة فوق المحور GaN: 2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing; ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF; ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial: رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um; 4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um; رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة