طلب اقتباس |
منزل المنتجاتwafer cassette carrier
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

wafer cassette carrier التصنيع عبر الإنترنت

(9)
يشتري حامل بسكويت ويفر بحجم 6 انش لتنظيف سلال ومقابض الورد الانترنت الشركة المصنعة

حامل بسكويت ويفر بحجم 6 انش لتنظيف سلال ومقابض الورد
اتصل

6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to resist strong acid, strong hydrofluoric acid, strong base ... قراءة المزيد
2022-10-09 10:46:01
يشتري 4 بوصة N- نوع Si-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＜ 0.05 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial الانترنت الشركة المصنعة

4 بوصة N- نوع Si-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＜ 0.05 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial
اتصل

4 inch N-type Si-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＜0.05 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For lightly Si-doped GaN ([Si] = 2.1 × 1016 cm−3), the room temperature (RT) electron mobility was as high ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:42:55
يشتري 4-Inch Mg-Doped GaN / Sapphire الركائز SSP ~ 10Ω cm LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial الانترنت الشركة المصنعة

4-Inch Mg-Doped GaN / Sapphire الركائز SSP ~ 10Ω cm LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial
اتصل

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:47
يشتري 4 بوصة N- نوع UID-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＞ 0.5 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial الانترنت الشركة المصنعة

4 بوصة N- نوع UID-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ＞ 0.5 سم LED ، ليزر ، PIN رقاقة Epitaxial
اتصل

4 inch N-type UID-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＞0.5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:54
يشتري 4 بوصة P-Type Mg-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ~ 10Ω سم LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial الانترنت الشركة المصنعة

4 بوصة P-Type Mg-Doped GaN على الياقوت ويفر SSP المقاومة ~ 10Ω سم LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial
اتصل

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer The electrical properties of p-type Mg-doped GaN are investigated through variable-temperature Hall effect ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:49
يشتري مركب أشباه الموصلات 2 بوصة GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS الانترنت الشركة المصنعة

مركب أشباه الموصلات 2 بوصة GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
اتصل

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:18:19
يشتري 18 مم GaAs Si Wafer 2inch GaAs غير مبطنة ركائز VGF S-C-N الانترنت الشركة المصنعة

18 مم GaAs Si Wafer 2inch GaAs غير مبطنة ركائز VGF S-C-N
اتصل

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... قراءة المزيد
2022-10-09 09:53:40
يشتري 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم SiC Epitaxial Wafer 4H شكل كريستال الانترنت الشركة المصنعة

150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم SiC Epitaxial Wafer 4H شكل كريستال
اتصل

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... قراءة المزيد
2022-10-24 10:20:57
يشتري ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة الانترنت الشركة المصنعة

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة
اتصل

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... قراءة المزيد
2024-10-14 17:06:30
Page 1 of 1
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.