منزل المنتجاتaluminum nitride wafer iso

جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN
(65)

رقاقة سيك Epitaxial
(39)

ويفر GaAs Epi
(15)

ركائز الماس CVD
(15)

نظام التلدين الحراري السريع
(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة
(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم
(21)

رقاقة ليزر ديود
(10)

كريستال كربيد السيليكون
(12)

ويفر Ga2O3
(13)

رقاقة السيليكون
(26)

ويفر ياقوت
(19)

ركائز الياقوت المنقوشة
(10)

حامل بسكويت تفلون
(1)

آلة تقطيع الويفر
(5)

شهادة

الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات

ابن دردش الآن

aluminum nitride wafer iso التصنيع عبر الإنترنت

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم شبه العازلة AIN على سطح ويفر الياقوت
اتصل

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip A thin film of aluminum nitride is a layer of aluminum that is resistant to high temperatur... قراءة المزيد

2022-09-27 15:39:57

1 بوصة AlN الواحدة الكريستال رقاقة 400±50μM S/P/R الدرجة
اتصل

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite ... قراءة المزيد

2024-12-06 17:50:21

ALN 10*10mm2 AlN بلور واحد 400±50μM S/P/R Grade
اتصل

2024-12-06 17:49:47

Page 1 of 1

رقاقة فوق المحور GaN

رقاقة سيك Epitaxial

ويفر GaAs Epi

ركائز الماس CVD

نظام التلدين الحراري السريع

اختبار استشعار تأثير القاعة

رقاقة نيتريد الألومنيوم

رقاقة ليزر ديود

كريستال كربيد السيليكون

ويفر Ga2O3

رقاقة السيليكون

ويفر ياقوت

ركائز الياقوت المنقوشة

حامل بسكويت تفلون

آلة تقطيع الويفر

aluminum nitride wafer iso التصنيع عبر الإنترنت

رقاقة نيتريد الألومنيوم شبه العازلة AIN على سطح ويفر الياقوت
اتصل

1 بوصة AlN الواحدة الكريستال رقاقة 400±50μM S/P/R الدرجة
اتصل

ALN 10*10mm2 AlN بلور واحد 400±50μM S/P/R Grade
اتصل

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP