منزل المنتجاتcarrier hall effect sensor tester
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

carrier hall effect sensor tester التصنيع عبر الإنترنت

(0)
Related Product
يشتري JDCD10-001-005 2 بوصة GaAs ((111) ذرات زينية مدعومة الانترنت الشركة المصنعة

JDCD10-001-005 2 بوصة GaAs ((111) ذرات زينية مدعومة

2inch GaAs(111) Zn-doped substrates Overview GaAs crystals can be created through three different methods. One of the more common methods is the vertical gradient freeze process, which involves growing crystals and slicing them, followed by edge rounding and polishing them into wafers. Another ... قراءة المزيد
يشتري JDCD10-001-004 2 بوصة GaAs (111) Si المضغوطة الانترنت الشركة المصنعة

JDCD10-001-004 2 بوصة GaAs (111) Si المضغوطة

2inch GaAs (111) Si-doped substrates Overview Gallium in a GaAs Wafer is in general used in the production of semiconductors, barometers, light emitting diodes, thermometers and electronic circuits. It is a silvery metal and quite soft which makes it easy to be used in chips as well. Gallium element... قراءة المزيد
يشتري JDCD10-001-003 2 بوصة GaAs ((100) ذرات زينية مدعومة الانترنت الشركة المصنعة

JDCD10-001-003 2 بوصة GaAs ((100) ذرات زينية مدعومة

2inch GaAs(100) Zn-doped substrates Overview Gallium arsenide of a GaAs Wafer has the attribute of generating laser light from electricity in a direct manner. There are two types of GaAs Wafer; polycrystalline and single crystal. These wafers are utilized in micro electronics and opto electronics ... قراءة المزيد
يشتري JDCD10-001-002 2 بوصة GaAs (100) Si المضغوطة الانترنت الشركة المصنعة

JDCD10-001-002 2 بوصة GaAs (100) Si المضغوطة

2inch GaAs (100) Si-doped substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and others. Gallium arsenide of a GaAs Wafer has the attribute of generating laser light from ... قراءة المزيد
يشتري JDCD04-001-007 10x10mm2 (010) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي الانترنت الشركة المصنعة

JDCD04-001-007 10x10mm2 (010) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي

10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters While silicon-based devices have been able to ... قراءة المزيد
يشتري JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe مضغوط في الوقوف الحر Ga2O3 الرواسب البلورية الوحيدة نوع المنتج البوليسة الوحيدة الانترنت الشركة المصنعة

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe مضغوط في الوقوف الحر Ga2O3 الرواسب البلورية الوحيدة نوع المنتج البوليسة الوحيدة

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Power density is greatly improved in gallium nitride devices ... قراءة المزيد
يشتري JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي الانترنت الشركة المصنعة

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي

10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.3 nm Resistance قراءة المزيد
يشتري JDCD06-001-007 12 بوصة السيليكون الوافر أجهزة MEMS الدوائر المتكاملة الركائز المخصصة للأجهزة المنفصلة الانترنت الشركة المصنعة

JDCD06-001-007 12 بوصة السيليكون الوافر أجهزة MEMS الدوائر المتكاملة الركائز المخصصة للأجهزة المنفصلة

12-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview A silicon wafer is a material essential for manufacturing semiconductors, which are found in all kinds of electronic devices that enrich our lives. Few of us have a chance to encounter an ... قراءة المزيد