طلب اقتباس |
منزل المنتجاتfree standing gan substrates
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

free standing gan substrates التصنيع عبر الإنترنت

(57)
يشتري Un Doped GaN Epitaxial Wafer M ركائز GaN قائمة بذاتها الانترنت الشركة المصنعة

Un Doped GaN Epitaxial Wafer M ركائز GaN قائمة بذاتها
اتصل

5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... قراءة المزيد
2023-02-17 10:52:50
يشتري 10 × 10.5 ملم مربع أسطوانات GaN قائمة بحرية - 10 ملم ≤ BOW ≤ 10 ملم الانترنت الشركة المصنعة

10 × 10.5 ملم مربع أسطوانات GaN قائمة بحرية - 10 ملم ≤ BOW ≤ 10 ملم
اتصل

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Applications Laser diodes: violet LD, blue LD, and green LD Power electronic devices, High ... قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:50
يشتري سماكة 350 ± 25 ميكرومتر 10 × 10.5 مم 2 ركائز GaN قائمة بذاتها الانترنت الشركة المصنعة

سماكة 350 ± 25 ميكرومتر 10 × 10.5 مم 2 ركائز GaN قائمة بذاتها
اتصل

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview GaN Substrates GaN (gallium nitride) substrates and wafers with high quality (low ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:28
يشتري ركائز GaN قائمة على الوجه فوق المحور Epitaxial Wafer الانترنت الشركة المصنعة

ركائز GaN قائمة على الوجه فوق المحور Epitaxial Wafer
اتصل

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... قراءة المزيد
2023-02-17 10:57:06
يشتري ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة الانترنت الشركة المصنعة

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة
اتصل

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the sheet resistances of the two-dimension electron gas generated ... قراءة المزيد
2024-10-14 17:06:30
يشتري M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um الانترنت الشركة المصنعة

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
اتصل

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... قراءة المزيد
2022-10-08 17:04:46
يشتري 10 × 10.5 ملم مربع C وجه غير مسبوب N نوع قائمة حرة GaN رصيف واحد الانترنت الشركة المصنعة

10 × 10.5 ملم مربع C وجه غير مسبوب N نوع قائمة حرة GaN رصيف واحد
اتصل

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Premium quality GaN crystal substrates with low dislocation density (on the order ... قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:50
يشتري TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate مقاومة 0.1 Ω · cm جهاز الطاقة / الليزر W الانترنت الشركة المصنعة

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate مقاومة 0.1 Ω · cm جهاز الطاقة / الليزر W
اتصل

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride (GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap ... قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
يشتري كثافة العيب الكلي 0cm-2 غير مرفوعة النوع SI المستقرة GaN الرواسب البلورية الوحيدة لأجهزة RF 5 * 10mm2 وجه M الانترنت الشركة المصنعة

كثافة العيب الكلي 0cm-2 غير مرفوعة النوع SI المستقرة GaN الرواسب البلورية الوحيدة لأجهزة RF 5 * 10mm2 وجه M
اتصل

5*10mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are commonly used for leading edge MOS devices. Thick Epi or Multi... قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
يشتري 5x10mm2 SP-Face 10-11 الغير مغلب على نوع N المستقرة GaN Single Crystal Substrate مع TTV ≤ 10μm المقاومة 0.05 Ω·cm الانترنت الشركة المصنعة

5x10mm2 SP-Face 10-11 الغير مغلب على نوع N المستقرة GaN Single Crystal Substrate مع TTV ≤ 10μm المقاومة 0.05 Ω·cm
اتصل

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
Page 1 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.