طلب اقتباس |
منزل المنتجاتga2o3 single crystal substrate
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

ga2o3 single crystal substrate التصنيع عبر الإنترنت

(13)
يشتري جانب واحد مصقول من رقاقة Ga2O3 ويفر طبقة كريستال واحدة الانترنت الشركة المصنعة

جانب واحد مصقول من رقاقة Ga2O3 ويفر طبقة كريستال واحدة
اتصل

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
يشتري Sn Doping Ga2O3 رقاقة كريستال أحادية الركيزة 10x10mm2 الانترنت الشركة المصنعة

Sn Doping Ga2O3 رقاقة كريستال أحادية الركيزة 10x10mm2
اتصل

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
يشتري 10x15mm2 UID مخدر قائما بذاته Ga2O3 رقاقة تلميع واحد الانترنت الشركة المصنعة

10x15mm2 UID مخدر قائما بذاته Ga2O3 رقاقة تلميع واحد
اتصل

JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single ... قراءة المزيد
2022-09-27 16:57:32
Page 2 of 2|< 1 2 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.