طلب اقتباس |
منزل المنتجاتga2o3 substrate single crystal
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

ga2o3 substrate single crystal التصنيع عبر الإنترنت

(13)
يشتري جانب واحد مصقول Ga2O3 الركيزة أحادية الكريستال سماكة 0.6 مم 0.8 مم الانترنت الشركة المصنعة

جانب واحد مصقول Ga2O3 الركيزة أحادية الكريستال سماكة 0.6 مم 0.8 مم
اتصل

Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0... قراءة المزيد
2023-02-17 14:30:35
يشتري FWHM الانترنت الشركة المصنعة

FWHM
اتصل

FWHM قراءة المزيد
2023-02-17 14:17:37
يشتري أشباه الموصلات أحادية الكريستال أكسيد الغاليوم الركيزة UID المنشطات الانترنت الشركة المصنعة

أشباه الموصلات أحادية الكريستال أكسيد الغاليوم الركيزة UID المنشطات
اتصل

Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM قراءة المزيد
2022-10-09 10:30:43
يشتري Ga2O3 Fe Doped Wafer ركيزة كريستال أحادية 10x10 مم 2 قائمة بذاتها الانترنت الشركة المصنعة

Ga2O3 Fe Doped Wafer ركيزة كريستال أحادية 10x10 مم 2 قائمة بذاتها
اتصل

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... قراءة المزيد
2022-10-09 10:34:19
يشتري JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe مضغوط في الوقوف الحر Ga2O3 الرواسب البلورية الوحيدة نوع المنتج البوليسة الوحيدة الانترنت الشركة المصنعة

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe مضغوط في الوقوف الحر Ga2O3 الرواسب البلورية الوحيدة نوع المنتج البوليسة الوحيدة
اتصل

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
يشتري JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي الانترنت الشركة المصنعة

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي
اتصل

10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Resistance قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
يشتري JDCD04-001-007 10x10mm2 (010) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي الانترنت الشركة المصنعة

JDCD04-001-007 10x10mm2 (010) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي
اتصل

10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers ... قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
يشتري جانب واحد مصقول من رقاقة Ga2O3 ويفر طبقة كريستال واحدة الانترنت الشركة المصنعة

جانب واحد مصقول من رقاقة Ga2O3 ويفر طبقة كريستال واحدة
اتصل

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
يشتري رع 0.3 نانومتر Ga2O3 رقاقة كريستال أحادي المحور 2 بوصة 4 بوصة الانترنت الشركة المصنعة

رع 0.3 نانومتر Ga2O3 رقاقة كريستال أحادي المحور 2 بوصة 4 بوصة
اتصل

Ra≤0.3nm Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm Orientation (-201) 10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec... قراءة المزيد
2023-02-17 14:34:04
يشتري Sn Doping Ga2O3 رقاقة كريستال أحادية الركيزة 10x10mm2 الانترنت الشركة المصنعة

Sn Doping Ga2O3 رقاقة كريستال أحادية الركيزة 10x10mm2
اتصل

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
Page 1 of 2|< 1 2 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.