طلب اقتباس |
منزل المنتجاتgallium nitride semiconductor wafer
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

gallium nitride semiconductor wafer التصنيع عبر الإنترنت

(35)
يشتري 50.8 مم غاليوم نيتريد أشباه الموصلات ويفر 2 بوصة قائمة بذاتها الانترنت الشركة المصنعة

50.8 مم غاليوم نيتريد أشباه الموصلات ويفر 2 بوصة قائمة بذاتها
اتصل

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... قراءة المزيد
2022-10-08 17:22:16
يشتري نيتريد الغاليوم رقاقة أشباه الموصلات 325um 375um C الطائرة الانترنت الشركة المصنعة

نيتريد الغاليوم رقاقة أشباه الموصلات 325um 375um C الطائرة
اتصل

2-inch Free-standing SI-GaN Substrates An epitaxial wafer (also called epi wafer, epi-wafer, or epiwafer) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:57
يشتري رقاقة كريستال غاليوم نيتريد أشباه الموصلات TTV 10um الانترنت الشركة المصنعة

رقاقة كريستال غاليوم نيتريد أشباه الموصلات TTV 10um
اتصل

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN substrate has a damage-free, very flat (Rms < 0.2 nm), controlled surface ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:57
يشتري الجاليوم أحادي الكريستال نيتريد الجاليوم نوع SI الانترنت الشركة المصنعة

الجاليوم أحادي الكريستال نيتريد الجاليوم نوع SI
اتصل

5*10.5mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal ... قراءة المزيد
2022-10-08 15:51:24
يشتري واحد كريستال غان Epi وافر غاليوم نتريد الركيزة 4 بوصة الانترنت الشركة المصنعة

واحد كريستال غان Epi وافر غاليوم نتريد الركيزة 4 بوصة
اتصل

Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material... قراءة المزيد
2024-12-06 17:44:01
يشتري أشباه الموصلات أحادية الكريستال أكسيد الغاليوم الركيزة UID المنشطات الانترنت الشركة المصنعة

أشباه الموصلات أحادية الكريستال أكسيد الغاليوم الركيزة UID المنشطات
اتصل

Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM قراءة المزيد
2022-10-09 10:30:43
يشتري جانب واحد مصقول من رقاقة Ga2O3 ويفر طبقة كريستال واحدة الانترنت الشركة المصنعة

جانب واحد مصقول من رقاقة Ga2O3 ويفر طبقة كريستال واحدة
اتصل

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
يشتري 375 um GaN Epitaxial Wafer قائم بذاته U-GaN SI-GaN ركائز الانترنت الشركة المصنعة

375 um GaN Epitaxial Wafer قائم بذاته U-GaN SI-GaN ركائز
اتصل

350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview ... قراءة المزيد
2024-11-18 19:17:19
يشتري 2 بوصة GaN على السيليكون الخضراء LED Epi وافر غاليوم نتريد على السيليكون الانترنت الشركة المصنعة

2 بوصة GaN على السيليكون الخضراء LED Epi وافر غاليوم نتريد على السيليكون
اتصل

Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing ... قراءة المزيد
2024-12-06 17:35:32
يشتري 4 بوصة UGaN على السيليكون غاليوم نتريد غير معتدل على السيليكون وافير الانترنت الشركة المصنعة

4 بوصة UGaN على السيليكون غاليوم نتريد غير معتدل على السيليكون وافير
اتصل

Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing ... قراءة المزيد
2024-12-06 17:33:43
Page 1 of 4|< 1 2 3 4 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.