طلب اقتباس |
منزل المنتجاتheat sink cvd diamond substrates
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

heat sink cvd diamond substrates التصنيع عبر الإنترنت

(14)
شراء 3x3mm2 0.3mm الإلكترونية الصف واحد كريستال الماس 225nm إلى الأشعة تحت الحمراء البعيدة الانترنت الصانع

3x3mm2 0.3mm الإلكترونية الصف واحد كريستال الماس 225nm إلى الأشعة تحت الحمراء البعيدة
اتصل

قراءة المزيد
2022-09-27 17:12:26
شراء JDCD05-001-003 10 * 10mm2 * 0.3mm إلكتروني الماس أحادي الدرجة ، محتوى N الانترنت الصانع

JDCD05-001-003 10 * 10mm2 * 0.3mm إلكتروني الماس أحادي الدرجة ، محتوى N
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:42:18
شراء 225nm إلى الأشعة تحت الحمراء البعيدة الإلكترونية الصف واحد كريستال الماس رقاقة N المحتوى الانترنت الصانع

225nm إلى الأشعة تحت الحمراء البعيدة الإلكترونية الصف واحد كريستال الماس رقاقة N المحتوى
اتصل

قراءة المزيد
2022-09-27 17:13:55
شراء JDCD05-001-005 5 * 5 مم 2 * 0.5 مم إلكتروني الماس أحادي الدرجة ، محتوى N الانترنت الصانع

JDCD05-001-005 5 * 5 مم 2 * 0.5 مم إلكتروني الماس أحادي الدرجة ، محتوى N
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:42:21
Page 2 of 2|< 1 2 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN المزود. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.