طلب اقتباس |
منزل المنتجاتled sapphire substrate r9
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

led sapphire substrate r9 التصنيع عبر الإنترنت

(13)
شراء رقاقة ويفر من النوع R مقاس 50 مم بسمك 420 ميكرومتر بطول (مم) 16 رقاقة LED الانترنت الصانع

رقاقة ويفر من النوع R مقاس 50 مم بسمك 420 ميكرومتر بطول (مم) 16 رقاقة LED
اتصل

قراءة المزيد
2023-02-17 11:23:22
شراء الإلكترونيات الضوئية تلميع الياقوت الكريستال ويفر نوع R الانترنت الصانع

الإلكترونيات الضوئية تلميع الياقوت الكريستال ويفر نوع R
اتصل

قراءة المزيد
2023-02-17 11:22:48
شراء سطح مستوي توجيه الياقوت مرآة ويفر مصقول EPI جاهز الانترنت الصانع

سطح مستوي توجيه الياقوت مرآة ويفر مصقول EPI جاهز
اتصل

قراءة المزيد
2023-02-17 10:18:27
Page 2 of 2|< 1 2 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN المزود. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.