طلب اقتباس |
منزل المنتجاتsemiconductor diode laser chip
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

semiconductor diode laser chip التصنيع عبر الإنترنت

(4)
يشتري طباعة ليزر ليزر ديود رقاقة أشباه الموصلات 1.0W / A حجم الباعث 94μm الطول الموجي 915nm الانترنت الشركة المصنعة

طباعة ليزر ليزر ديود رقاقة أشباه الموصلات 1.0W / A حجم الباعث 94μm الطول الموجي 915nm
اتصل

Laser Printing Laser Diode Chip 1.0W/A Emitter Size 94μm Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Chip on Submount COS Laser Diode employing AuSn bonding and P Down package with ... قراءة المزيد
2022-09-22 15:10:25
يشتري تيار عتبة 0.5A ليزر ديود رقاقة كفاءة تحويل الطاقة 58٪ الانترنت الشركة المصنعة

تيار عتبة 0.5A ليزر ديود رقاقة كفاءة تحويل الطاقة 58٪
اتصل

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Power Conversion Efficiency 58% 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design On-chip integration of laser diodes and photodetectors with silicon nanowire waveguides ... قراءة المزيد
2022-09-22 15:12:40
يشتري تيار عتبة 0.5A ليزر ديود رقاقة ليزر طباعة المنحدر كفاءة 1.0W / A الانترنت الشركة المصنعة

تيار عتبة 0.5A ليزر ديود رقاقة ليزر طباعة المنحدر كفاءة 1.0W / A
اتصل

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Laser Printing Slope Efficiency 1.0W/A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The light source is integrated by flip-chip bonding directly onto the Si ... قراءة المزيد
2022-09-22 15:13:34
يشتري Thk 430um الياقوت الكريستال الركيزة الكريستال C / M0.2 الانترنت الشركة المصنعة

Thk 430um الياقوت الكريستال الركيزة الكريستال C / M0.2
اتصل

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... قراءة المزيد
2023-02-17 10:18:05
Page 1 of 1
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.