طلب اقتباس |
منزل المنتجاتsic epitaxial wafer c face
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

sic epitaxial wafer c face التصنيع عبر الإنترنت

(33)
شراء N نوع 6 بوصة 4H كربيد السيليكون الركيزة الأساسية طول مسطح 47.5 مم الانترنت الصانع

N نوع 6 بوصة 4H كربيد السيليكون الركيزة الأساسية طول مسطح 47.5 مم
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-24 10:22:34
شراء P مستوى SI نوع 6 بوصة 4H SiC شبه عازلة 150 مم الانترنت الصانع

P مستوى SI نوع 6 بوصة 4H SiC شبه عازلة 150 مم
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-24 10:21:46
شراء 2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF الانترنت الصانع

2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:44
Page 4 of 4|< 1 2 3 4 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN المزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.