طلب اقتباس |
منزل المنتجاتsilicon carbide crystal p grade
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

silicon carbide crystal p grade التصنيع عبر الإنترنت

(27)
يشتري 100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 "P الصف Politype 4H الانترنت الشركة المصنعة

100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 "P الصف Politype 4H
اتصل

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... قراءة المزيد
2022-10-09 10:12:00
يشتري 0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm كربيد السيليكون نوع الكريستال N. الانترنت الشركة المصنعة

0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm كربيد السيليكون نوع الكريستال N.
اتصل

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:01:16
يشتري 4 "P الصف مقاومة كريستال كربيد السيليكون 0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm الانترنت الشركة المصنعة

4 "P الصف مقاومة كريستال كربيد السيليكون 0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm
اتصل

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:35:24
يشتري 100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 "P الصف 18.0mm الانترنت الشركة المصنعة

100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 "P الصف 18.0mm
اتصل

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:01:26
يشتري الطول الأساسي المسطح 32.5 مم بلور كربيد السيليكون 4 "P الصف 100.0 مم الانترنت الشركة المصنعة

الطول الأساسي المسطح 32.5 مم بلور كربيد السيليكون 4 "P الصف 100.0 مم
اتصل

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:01:05
يشتري 4H Politype أحادي كريستال السيليكون كربيد 4 "P الصف Si الوجه الانترنت الشركة المصنعة

4H Politype أحادي كريستال السيليكون كربيد 4 "P الصف Si الوجه
اتصل

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:01:35
يشتري بلورة بذور كربيد السيليكون JDZJ01-001-007 الانترنت الشركة المصنعة

بلورة بذور كربيد السيليكون JDZJ01-001-007
اتصل

JDZJ01-001-007 Silicon Carbide Seed Crystal Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic conduction effects becauseof the wide energy bandgap. ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:42:43
يشتري N نوع 6 بوصة 4H كربيد السيليكون الركيزة الأساسية طول مسطح 47.5 مم الانترنت الشركة المصنعة

N نوع 6 بوصة 4H كربيد السيليكون الركيزة الأساسية طول مسطح 47.5 مم
اتصل

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... قراءة المزيد
2022-10-24 10:22:34
يشتري 260 ميكرومتر الركيزة كربيد السيليكون P المستوى لأجهزة الطاقة وأجهزة الميكروويف الانترنت الشركة المصنعة

260 ميكرومتر الركيزة كربيد السيليكون P المستوى لأجهزة الطاقة وأجهزة الميكروويف
اتصل

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview We ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
يشتري 6 بوصة 4H SiC الركيزة N النوع P SBD الصف 350 ميكرومتر الانترنت الشركة المصنعة

6 بوصة 4H SiC الركيزة N النوع P SBD الصف 350 ميكرومتر
اتصل

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... قراءة المزيد
2022-10-24 10:23:04
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.