|
تفاصيل المنتج:
|
| اسم المنتج: | رقاقة سيك Epitaxial | قطر الدائرة: | 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم |
|---|---|---|---|
| اتجاه السطح: | خارج المحور: 4 درجات باتجاه <11-20> ± 0.5 درجة | الطول الأساسي المسطح: | 47.5 مم ± 1.5 مم |
| طول مسطح ثانوي: | لا يوجد شقة ثانوية | الاتجاه الأساسي المسطح: | بالتوازي مع <11-20> ± 1 درجة |
| سوء التوجيه المتعامد: | ± 5.0 درجة | استثناء الحافة: | 3 مم |
| إبراز: | 150.0 مم SiC رقاقة Epitaxial,رقاقة كربيد السيليكون 3 مم,رقاقة SiC Epitaxial بدون مسطح ثانوي |
||
JDCD03-001-003
ملخص
تزرع كرات SiC (بلورات) ، وتشكيلها إلى سبائك ، ثم يتم تقطيعها إلى ركائز ، والتي يتم صقلها لاحقًا.ثم يتم زراعة طبقة رقيقة من SiC فوق هذه الطبقة السفلية لإنشاء رقاقة epi.
اليوم ، تتوسع صناعة أشباه الموصلات بمعدل سريع ، مما يعني أن توريد الرقائق أمر بالغ الأهمية للنجاح.لاستيعاب الطلب المتزايد على أشباه موصلات SiC ، يتجه صانعو الرقائق بشكل متزايد إلى كل من المصادر الداخلية والخارجية لإنشاء رقائق السيليكون وكربيد السيليكون الضرورية.ستساعد هذه المصادر الداخلية صانعي الرقائق على تحقيق وفورات الحجم وتقليل التكاليف.ما هي رقاقة كربيد السيليكون النموذجية؟
|
ملكية |
درجة P-MOS | درجة P-SBD | درجة D |
| شكل كريستال | 4 ح | ||
| متعدد | لا شيء مسموح به | مساحة≤5٪ | |
| (MPD)أ | ≤0.2 / سم2 | ≤0.5 / سم2 | ≤5 / سم2 |
| لوحات سداسية | لا شيء مسموح به | مساحة≤5٪ | |
| بلورات سداسية | لا شيء مسموح به | ||
| الادراجأ | منطقة≤0.05٪ | منطقة≤0.05٪ | غير متاح |
| المقاومة النوعية | 0.015 • سم - 0.025 • سم | 0.015 • سم - 0.025 • سم | 0.014 • سم - 0.028 • سم |
| (EPD)أ | ≤ 4000 / سم2 | ≤8000 / سم2 | غير متاح |
| (تيد)أ | ≤ 3000 / سم2 | ≤6000 / سم2 | غير متاح |
| (BPD)أ | ≤ 1000 / سم2 | ≤2000 / سم2 | غير متاح |
| (TSD)أ | ≤600 / سم2 | ≤ 1000 / سم2 | غير متاح |
| التراص خطأ | ≤0.5٪ مساحة | ≤1٪ مساحة | غير متاح |
|
تلوث السطح بالمعادن |
(Al، Cr، Fe، Ni، Cu، Zn، Pb، Na، K، Ti، Ca، V، Mn) ≤1E11 سم-2 |
||
| قطر الدائرة | 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم | ||
| اتجاه السطح | خارج المحور: 4 درجات باتجاه <11-20> ± 0.5 درجة | ||
| الطول الأساسي المسطح | 47.5 ملم ± 1.5 ملم | ||
| طول مسطح ثانوي | لا يوجد شقة ثانوية | ||
| الاتجاه الأساسي المسطح | بالتوازي مع <11-20> ± 1 درجة | ||
| الاتجاه الثانوي المسطح | غير متاح | ||
| سوء التوجيه المتعامد | ± 5.0 درجة | ||
| صقل الأسطح | C- الوجه: تلميع بصري ، Si-Face: CMP | ||
| حافة الويفر | شطف | ||
|
خشونة السطح (10 ميكرومتر × 10 ميكرومتر) |
وجه Si Ra≤0.20 نانومتر ； C وجه را≤0.50 نانومتر | ||
| سماكةأ | 350.0 ميكرومتر ± 25.0 ميكرومتر | ||
| LTV (10 مم × 10 مم)أ | ≤2 ميكرومتر | ≤3 ميكرومتر | |
| (TTV)أ | ≤6 ميكرومتر | ≤10 ميكرومتر | |
| (قَوس)أ | ≤15 ميكرومتر | ≤25 ميكرومتر | ≤40 ميكرومتر |
| (اعوجاج)أ | ≤25 ميكرومتر | ≤40 ميكرومتر | ≤60 ميكرومتر |
| الرقائق / المسافات البادئة | لا شيء مسموح به ≥0.5mm العرض والعمق | الكمية 2 ≤1.0 ملم العرض والعمق | |
|
خدوشأ (وجه سي ، CS8520) |
≤5 والطول التراكمي 0.5 × قطر الرقاقة |
≤5 والطول التراكمي 1.5 × رقاقة قطر الدائرة |
|
| TUA (2 مم * 2 مم) | ≥98٪ | ≥95٪ | غير متاح |
| شقوق | لا شيء مسموح به | ||
| تلوث اشعاعى | لا شيء مسموح به | ||
| ملكية | درجة P-MOS | درجة P-SBD | درجة D |
| استثناء الحافة | 3 مم | ||
ملاحظة: يتم استخدام استثناء 3 مم للعناصر المميزة بعلامةأ.
معلومات عنا
نحن متخصصون في معالجة مجموعة متنوعة من المواد في الرقائق والركائز وقطع غيار الزجاج البصري المخصصة المستخدمة على نطاق واسع في الإلكترونيات والبصريات والإلكترونيات البصرية والعديد من المجالات الأخرى.كما أننا نعمل بشكل وثيق مع العديد من الجامعات والمؤسسات البحثية والشركات المحلية والأجنبية ، ونقدم منتجات وخدمات مخصصة لمشاريع البحث والتطوير الخاصة بهم.تتمثل رؤيتنا في الحفاظ على علاقة تعاون جيدة مع جميع عملائنا من خلال سمعتنا الطيبة.
التعليمات
س: هل أنت شركة تجارية أو مصنع؟
نحن مصنع.
س: ما هي مدة التسليم؟
عموما 3-5 أيام إذا كانت البضاعة في المخزون.
أو 7-10 أيام إذا لم تكن البضاعة في المخزن ، يكون ذلك حسب الكمية.
س: هل تقدمون عينات؟هل هو مجاني أم إضافي؟
نعم ، يمكننا تقديم العينة مجانًا ولكن لا ندفع تكلفة الشحن.
س: ما هي شروط الدفع الخاصة بك؟
الدفع <= 5000 دولار أمريكي ، 100٪ مقدمًا.
Paymen> = 5000 دولار أمريكي ، 80٪ T / T مقدمًا ، الرصيد قبل الشحن.
اتصل شخص: Xiwen Bai (Ciel)
الهاتف :: +8613372109561
