الصين ويفر GaAs Epi

• 

  JDCD10-001-005 2 بوصة GaAs (111) ركائز مخدرة بالزنك

  اسم المنتج:ويفر GaAs-Si

  طريقة النمو:VGF

  نوع السلوك:SCN

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  JDCD10-001-003 2 بوصة GaAs (100) ركائز Zn-Doped

  اسم المنتج:ويفر GaAs-Si

  توجيه:(100) 15 ° ± 0.5 ° متوقفًا عن الاتجاه نحو <111> أ

  من التوجه:EJ [0-1-1] ± 0.5 درجة

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  JDCD10-001-004 2 بوصة GaAs (111) ركائز Si-Doped

  اسم المنتج:ويفر GaAs-Si

  زاوية التوجيه:0 درجة

  من التوجه:EJ [0-1-1] ± 0.5 درجة

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ