طلب اقتباس |
منزل المنتجاتfree standing gan substrates
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

free standing gan substrates التصنيع عبر الإنترنت

(57)
شراء وجه N نوع قائم بذاته من الجاليوم الغاليوم الركيزة البلورية الأحادية غير المخدرة الانترنت الصانع

وجه N نوع قائم بذاته من الجاليوم الغاليوم الركيزة البلورية الأحادية غير المخدرة
اتصل

قراءة المزيد
2023-02-17 11:02:58
شراء 5 * 10 مم 2 M-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity الانترنت الصانع

5 * 10 مم 2 M-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:38
شراء ركائز GaN خشونة سطح الوجه الانترنت الصانع

ركائز GaN خشونة سطح الوجه
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:42:49
شراء 5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Device الانترنت الصانع

5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Device
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:36
شراء 5 * 10 مم 2 A-face غير مخدر من النوع n القائم بذاته من الكريستال الأحادي المقاومة المقاومة الانترنت الصانع

5 * 10 مم 2 A-face غير مخدر من النوع n القائم بذاته من الكريستال الأحادي المقاومة المقاومة
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:36
شراء 350 ± 25μm سمك غير مغلّط نوع N المستقرة GaN الرواسب الأحادية مع TTV ≤ 10μm والمقاومة 0.1 Ω·cm الانترنت الصانع

350 ± 25μm سمك غير مغلّط نوع N المستقرة GaN الرواسب الأحادية مع TTV ≤ 10μm والمقاومة 0.1 Ω·cm
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
شراء 5 * 10 مم 2 A-Face Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Devices Wafer الانترنت الصانع

5 * 10 مم 2 A-Face Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Devices Wafer
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:31
شراء 5 * 10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶Ω · Cm RF Device الانترنت الصانع

5 * 10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶Ω · Cm RF Device
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:33
شراء 5*10mm2 SP-Face 10-11 غير معتدل النوع N-Standing GaN Single Crystal Substrate 0.1 Ω·cm المقاومة لجهاز الطاقة الانترنت الصانع

5*10mm2 SP-Face 10-11 غير معتدل النوع N-Standing GaN Single Crystal Substrate 0.1 Ω·cm المقاومة لجهاز الطاقة
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
شراء 2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF الانترنت الصانع

2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:44
Page 3 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN المزود. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.