أرسل رسالة
طلب اقتباس |
منزل المنتجاتgallium nitride semiconductor wafer
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

gallium nitride semiconductor wafer التصنيع عبر الإنترنت

(35)
شراء JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي الانترنت الصانع

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-09 10:30:00
شراء 5 * 10 مم 2 A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity الانترنت الصانع

5 * 10 مم 2 A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-25 15:15:40
شراء JDCD04-001-007 10x10mm2 (010) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي الانترنت الصانع

JDCD04-001-007 10x10mm2 (010) Sn-Doped قائم بذاته Ga2O3 الركيزة البلورية أحادية المنتج تلميع فردي
اتصل

قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
شراء 5 * 10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity الانترنت الصانع

5 * 10mm2 SP-Face (11-12) Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity
اتصل

قراءة المزيد
2023-02-17 11:08:54
شراء تحفيز الإنتاج معالجة حرارية سريعة RTP-SA-8 نظام التسخين الانترنت الصانع

تحفيز الإنتاج معالجة حرارية سريعة RTP-SA-8 نظام التسخين
اتصل

قراءة المزيد
2024-12-06 17:48:00
Page 4 of 4|< 1 2 3 4 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN المزود. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.