طلب اقتباس |
منزل المنتجاتgan epitaxial wafer
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

gan epitaxial wafer التصنيع عبر الإنترنت

(84)
شراء وجه N نوع قائم بذاته من الجاليوم الغاليوم الركيزة البلورية الأحادية غير المخدرة الانترنت الصانع

وجه N نوع قائم بذاته من الجاليوم الغاليوم الركيزة البلورية الأحادية غير المخدرة
اتصل

قراءة المزيد
2023-02-17 11:02:58
شراء رقاقة كريستال غاليوم نيتريد أشباه الموصلات TTV 10um الانترنت الصانع

رقاقة كريستال غاليوم نيتريد أشباه الموصلات TTV 10um
اتصل

قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:57
شراء 10 × 10.5 ملم مربع أسطوانات GaN قائمة بحرية - 10 ملم ≤ BOW ≤ 10 ملم الانترنت الصانع

10 × 10.5 ملم مربع أسطوانات GaN قائمة بحرية - 10 ملم ≤ BOW ≤ 10 ملم
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:50
شراء 2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF الانترنت الصانع

2 بوصة C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · cm أجهزة RF
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:44
شراء 10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Standing Free-Standing GaN Single Crystal Substrate عيب كبير كثافة 0cm−2 TTV ≤ 10 μm مقاومة 106 Ω·Cm أجهزة الراديو الراديوي الانترنت الصانع

10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Standing Free-Standing GaN Single Crystal Substrate عيب كبير كثافة 0cm−2 TTV ≤ 10 μm مقاومة 106 Ω·Cm أجهزة الراديو الراديوي
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
شراء 5 * 10 مم 2 M-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity الانترنت الصانع

5 * 10 مم 2 M-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:38
شراء 10 * 10.5mm2 GaN أحادي سمك الركيزة البلورية 350 ± 25 ميكرومتر TTV ≤ 10 ميكرومتر الانترنت الصانع

10 * 10.5mm2 GaN أحادي سمك الركيزة البلورية 350 ± 25 ميكرومتر TTV ≤ 10 ميكرومتر
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:27
شراء 5 * 10 مم 2 A-face غير مخدر من النوع n القائم بذاته من الكريستال الأحادي المقاومة المقاومة الانترنت الصانع

5 * 10 مم 2 A-face غير مخدر من النوع n القائم بذاته من الكريستال الأحادي المقاومة المقاومة
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:36
شراء 5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Device الانترنت الصانع

5 * 10mm2 SP-Face (10-11) Un-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Subistivity> 10⁶ Ω · Cm RF Device
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:36
شراء 10 * 10.5 مم 2 GaN الركيزة البلورية الأحادية C الطائرة (0001) إيقاف الزاوية باتجاه المحور M 0.35 ± 0.15 درجة الانترنت الصانع

10 * 10.5 مم 2 GaN الركيزة البلورية الأحادية C الطائرة (0001) إيقاف الزاوية باتجاه المحور M 0.35 ± 0.15 درجة
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:30
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN المزود. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.