طلب اقتباس |
منزل المنتجاتgan epitaxial wafer
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

gan epitaxial wafer التصنيع عبر الإنترنت

(84)
شراء خشونة السطح الأمامي GaN على ركيزة GaN من رقاقة السيليكون الانترنت الصانع

خشونة السطح الأمامي GaN على ركيزة GaN من رقاقة السيليكون
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-08 17:19:48
شراء الجاليوم أحادي الكريستال نيتريد الجاليوم نوع SI الانترنت الصانع

الجاليوم أحادي الكريستال نيتريد الجاليوم نوع SI
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-08 15:51:24
شراء Un Doped N Type GaN الركيزة الكريستالية الأحادية 5x10mm2 M الوجه الانترنت الصانع

Un Doped N Type GaN الركيزة الكريستالية الأحادية 5x10mm2 M الوجه
اتصل

قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:57
شراء 350 ± 25μm سمك غير مغلّط نوع N المستقرة GaN الرواسب الأحادية مع TTV ≤ 10μm والمقاومة 0.1 Ω·cm الانترنت الصانع

350 ± 25μm سمك غير مغلّط نوع N المستقرة GaN الرواسب الأحادية مع TTV ≤ 10μm والمقاومة 0.1 Ω·cm
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
شراء C الوجه الركيزة GaN الانترنت الصانع

C الوجه الركيزة GaN
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-09 17:03:25
شراء سماكة 350 ± 25 ميكرومتر 10 × 10.5 مم 2 ركائز GaN قائمة بذاتها الانترنت الصانع

سماكة 350 ± 25 ميكرومتر 10 × 10.5 مم 2 ركائز GaN قائمة بذاتها
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:28
شراء TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate مقاومة 0.1 Ω · cm جهاز الطاقة / الليزر W الانترنت الصانع

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate مقاومة 0.1 Ω · cm جهاز الطاقة / الليزر W
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
شراء 5x10mm2 SP-Face 10-11 الغير مغلب على نوع N المستقرة GaN Single Crystal Substrate مع TTV ≤ 10μm المقاومة 0.05 Ω·cm الانترنت الصانع

5x10mm2 SP-Face 10-11 الغير مغلب على نوع N المستقرة GaN Single Crystal Substrate مع TTV ≤ 10μm المقاومة 0.05 Ω·cm
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
شراء SP-Face 11-12 غير مُعديل النوع N-Standing GaN Single Crystal Substrate مقاومة 0.05 Ω·cm كثافة العيب الكلي 0cm−2 الانترنت الصانع

SP-Face 11-12 غير مُعديل النوع N-Standing GaN Single Crystal Substrate مقاومة 0.05 Ω·cm كثافة العيب الكلي 0cm−2
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
شراء 5*10mm2 SP-Face غير مدعومة من النوع N مستقل GaN رصيف واحد بلوري 20-21 / 20-2-1 10mm2 المقاومة 0.05 Ω·cm الانترنت الصانع

5*10mm2 SP-Face غير مدعومة من النوع N مستقل GaN رصيف واحد بلوري 20-21 / 20-2-1 10mm2 المقاومة 0.05 Ω·cm
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
Page 7 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN المزود. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.