طلب اقتباس |
منزل المنتجاتp type silicon substrate
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

p type silicon substrate التصنيع عبر الإنترنت

(81)
يشتري JDWY01-001-004 فيلم سميك 2 بوصة (2،3) um AIN على رقاقة الياقوت ، DSP ، XRD FWHM من (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec الانترنت الشركة المصنعة

JDWY01-001-004 فيلم سميك 2 بوصة (2،3) um AIN على رقاقة الياقوت ، DSP ، XRD FWHM من (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
اتصل

2 inch thick film (2,3)um AIN on sapphire wafer,DSP,XRD FWHM of(002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV disinfection, LED chip Aluminum Nitride is also an excellent electrical insulator. It can be used in solar cells... قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:14
Page 9 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.