 |
6 بوصة GaN على السيليكون HEMT Epi وافر جهاز الطاقة نتريد الغاليوم GaN على سي2024-12-06 17:38:23 |
|
|
سطح مستوي توجيه الياقوت مرآة ويفر مصقول EPI جاهز2023-02-17 10:18:27 |
|
|
رقاقة U / SI GaN فوق المحورية قائمة بذاتها 50.8 مم 350 ميكرون2022-10-08 17:12:14 |
|
|
50.8 مم غاليوم نيتريد أشباه الموصلات ويفر 2 بوصة قائمة بذاتها2022-10-08 17:22:16 |
|
|
4-Inch Mg-Doped GaN / Sapphire الركائز SSP ~ 10Ω cm LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial2025-04-04 22:43:47 |
|
|
ويفر الياقوت 50 مم R9 مرآة مصقولة EPI ويفر جاهز حافة نوع R2023-02-17 10:17:17 |
|
|
6 بوصة SiC Epitaxial رقاقة2022-10-09 16:56:20 |
|
|
|
|
|
|
جهاز طاقة 2 بوصة الترانزستور ذو الحركة الكهربائية العالية2024-12-06 17:41:10 |
Arabic
