طلب اقتباس |
منزل المنتجاتp type silicon substrate
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

p type silicon substrate التصنيع عبر الإنترنت

(81)
يشتري 2 بوصة GaN على السيليكون الأزرق LD Epi وافر GaN الليزر الأزرق على السيليكون الانترنت الشركة المصنعة

2 بوصة GaN على السيليكون الأزرق LD Epi وافر GaN الليزر الأزرق على السيليكون
اتصل

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... قراءة المزيد
2024-12-06 17:35:32
يشتري سطح مستوي توجيه الياقوت مرآة ويفر مصقول EPI جاهز الانترنت الشركة المصنعة

سطح مستوي توجيه الياقوت مرآة ويفر مصقول EPI جاهز
اتصل

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... قراءة المزيد
2023-02-17 10:18:27
يشتري رقاقة U / SI GaN فوق المحورية قائمة بذاتها 50.8 مم 350 ميكرون الانترنت الشركة المصنعة

رقاقة U / SI GaN فوق المحورية قائمة بذاتها 50.8 مم 350 ميكرون
اتصل

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... قراءة المزيد
2022-10-08 17:12:14
يشتري 50.8 مم غاليوم نيتريد أشباه الموصلات ويفر 2 بوصة قائمة بذاتها الانترنت الشركة المصنعة

50.8 مم غاليوم نيتريد أشباه الموصلات ويفر 2 بوصة قائمة بذاتها
اتصل

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... قراءة المزيد
2022-10-08 17:22:16
يشتري 4-Inch Mg-Doped GaN / Sapphire الركائز SSP ~ 10Ω cm LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial الانترنت الشركة المصنعة

4-Inch Mg-Doped GaN / Sapphire الركائز SSP ~ 10Ω cm LED ليزر PIN رقاقة Epitaxial
اتصل

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... قراءة المزيد
2025-04-04 22:43:47
يشتري ويفر الياقوت 50 مم R9 مرآة مصقولة EPI ويفر جاهز حافة نوع R الانترنت الشركة المصنعة

ويفر الياقوت 50 مم R9 مرآة مصقولة EPI ويفر جاهز حافة نوع R
اتصل

High Purity Al2O3＞99.995% R9 Mirror Polished EPI-Ready Wafer edge R-type JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate ... قراءة المزيد
2023-02-17 10:17:17
يشتري 6 بوصة SiC Epitaxial رقاقة الانترنت الشركة المصنعة

6 بوصة SiC Epitaxial رقاقة
اتصل

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... قراءة المزيد
2022-10-09 16:56:20
يشتري 47.5 مم ± 1.5 مم SiC Epitaxial رقاقة 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم بالتوازي&lt;11-20&gt;± 1 درجة الانترنت الشركة المصنعة

47.5 مم ± 1.5 مم SiC Epitaxial رقاقة 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم بالتوازي<11-20>± 1 درجة
اتصل

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
يشتري 4H SiC رقاقة فوق المحور 0.015 • سم - 0.025 • سم ≤4000 / سم² 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم الانترنت الشركة المصنعة

4H SiC رقاقة فوق المحور 0.015 • سم - 0.025 • سم ≤4000 / سم² 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم
اتصل

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
يشتري جهاز طاقة 2 بوصة الترانزستور ذو الحركة الكهربائية العالية الانترنت الشركة المصنعة

جهاز طاقة 2 بوصة الترانزستور ذو الحركة الكهربائية العالية
اتصل

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... قراءة المزيد
2024-12-06 17:41:10
Page 7 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.