 |
6 بوصة N نوع رقاقة P MOS درجة 4H SiC الركيزة 350.0 ± 25.0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
الركيزة نوع N SiC2022-10-09 16:57:15 |
|
|
350um 4H الركيزة SiC2022-10-09 16:57:57 |
|
|
100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 "P الصف Politype 4H2022-10-09 10:12:00 |
|
|
4H Politype أحادي كريستال السيليكون كربيد 4 "P الصف Si الوجه2022-09-27 17:01:35 |
|
|
100.0mm كريستال كربيد السيليكون 4 "P الصف 18.0mm2022-09-27 17:01:26 |
|
|
0.015ohm.cm إلى 0.028ohm.cm كربيد السيليكون نوع الكريستال N.2022-09-27 17:01:16 |
|
|
الطول الأساسي المسطح 32.5 مم بلور كربيد السيليكون 4 "P الصف 100.0 مم2022-09-27 17:01:05 |
|
|
