 |
6 بوصة 4H SiC N نوع الركيزة 47.5 مم بدون مسطح ثانوي2022-10-24 10:26:17 |
|
|
6 بوصة N نوع رقاقة P MOS درجة 4H SiC الركيزة 350.0 ± 25.0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
260 ميكرومتر الركيزة كربيد السيليكون P المستوى لأجهزة الطاقة وأجهزة الميكروويف2023-02-17 17:14:50 |
|
|
SP الوجه 5 × 10 مم 2 نيتريد الغاليوم 350um2022-10-08 16:41:01 |
|
|
N نوع 6 بوصة 4H كربيد السيليكون الركيزة الأساسية طول مسطح 47.5 مم2022-10-24 10:22:34 |
