 |
N نوع 6 بوصة 4H كربيد السيليكون الركيزة الأساسية طول مسطح 47.5 مم2022-10-24 10:22:34 |
|
|
260 ميكرومتر الركيزة كربيد السيليكون P المستوى لأجهزة الطاقة وأجهزة الميكروويف2023-02-17 17:14:50 |
|
|
6 بوصة 4H SiC الركيزة N النوع P SBD الصف 350 ميكرومتر2022-10-24 10:23:04 |
|
|
6 بوصة N نوع رقاقة P MOS درجة 4H SiC الركيزة 350.0 ± 25.0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
خشونة السطح الأمامي GaN على ركيزة GaN من رقاقة السيليكون2022-10-08 17:19:48 |
|
|
350um 4H الركيزة SiC2022-10-09 16:57:57 |
|
|
الركيزة نوع N SiC2022-10-09 16:57:15 |
|
|
SP الوجه 5 × 10 مم 2 نيتريد الغاليوم 350um2022-10-08 16:41:01 |
|
|
