الصين رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

اسم المنتج:رقاقة سيك Epitaxial

شكل كريستال:4 ح

صقل الأسطح:C- الوجه: تلميع بصري ، Si-Face: CMP
4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-المستوى SI 500.0 ± 25.0μM MPD≤0.3 / Cm2 المقاومة≥1E9Ω·Cm للطاقة الميكروويفية

اسم المنتج:رقاقة سيك Epitaxial

قطر الدائرة:100.0 مم + 0.0 / -0.5 مم

اتجاه السطح:{0001} ± 0.2 درجة
4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-مستوى SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 المقاومة≥1E5Ω·cm للطاقة الميكروويفية

اسم المنتج:رقاقة سيك Epitaxial

قطر الدائرة:100.0 مم + 0.0 / -0.5 مم

اتجاه السطح:{0001} ± 0.2 درجة
4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-Level N-Type 350.0 ± 25.0μM MPD≤0.5 / Cm2 المقاومة 0.015Ω • سم - 0.025Ω • سم

اسم المنتج:رقاقة سيك Epitaxial

شكل كريستال:4 ح

قطر الدائرة:100.0 مم + 0.0 / -0.5 مم
جهاز طاقة 2 بوصة الترانزستور ذو الحركة الكهربائية العالية

الأبعاد:2 بوصة

المقاومة ((300K):< 350 Ω/□

تركيز الالكترون:> 1800 سم2/(V·S)
2 بوصة GaN على سليكون HEMT Epi رقاقة لجهاز الطاقة

الأبعاد:2 بوصة

المقاومة ((300K):< 350 Ω/□

تركيز الالكترون:> 1800 سم2/(V·S)
6 بوصة GaN على السيليكون HEMT Epi وافر جهاز الطاقة نتريد الغاليوم GaN على سي

الأبعاد:6 بوصة

المقاومة ((300K):< 350 Ω/□

تركيز الالكترون:> 9.0E12 سم-2
ضوء LED الأزرق GaN على رقاقة السيليكون ليزر أزرق GaN رقاقة القلب

البعد:2 - 4 بوصة

الحد الأدنى لكمية:5

تفاصيل التغليف:معبأة في بيئة غرفة نظيفة فئة 100 ، في حاوية 25 قطعة ، تحت جو من النيتروجين
2 بوصة GaN على السيليكون الخضراء LED Epi وافر غاليوم نتريد على السيليكون

البعد:2 بوصة

الحد الأدنى لكمية:5

تفاصيل التغليف:معبأة في بيئة غرفة نظيفة فئة 100 ، في حاوية 25 قطعة ، تحت جو من النيتروجين
2 بوصة GaN على السيليكون الأزرق LD Epi وافر GaN الليزر الأزرق على السيليكون

البعد:2 بوصة

الحد الأدنى لكمية:5

تفاصيل التغليف:معبأة في بيئة غرفة نظيفة فئة 100 ، في حاوية 25 قطعة ، تحت جو من النيتروجين
الليزر البنفسجي GaN على السيليكون 2 بوصة GaN على السيليكون HEMT Epi وافر UV LD Epi وافر

الأبعاد:2 بوصة

IQE:غير معروف

خسارة داخلية:مجهول
حاجز AlGaN 4 بوصة GaN على السيليكون HEMT Epi غاليوم نتريد غاليوم GaN على Si

الأبعاد:2 بوصة

المقاومة ((300K):< 350 Ω/□

تركيز الالكترون:> 9.0E12 سم-2

Page 3 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

رقاقة سيك Epitaxial

350um 4H الركيزة SiC

الركيزة نوع N SiC

6 بوصة SiC Epitaxial رقاقة

الصين رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-المستوى SI 500.0 ± 25.0μM MPD≤0.3 / Cm2 المقاومة≥1E9Ω·Cm للطاقة الميكروويفية

4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-مستوى SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 المقاومة≥1E5Ω·cm للطاقة الميكروويفية

4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-Level N-Type 350.0 ± 25.0μM MPD≤0.5 / Cm2 المقاومة 0.015Ω • سم - 0.025Ω • سم

جهاز طاقة 2 بوصة الترانزستور ذو الحركة الكهربائية العالية

2 بوصة GaN على سليكون HEMT Epi رقاقة لجهاز الطاقة

6 بوصة GaN على السيليكون HEMT Epi وافر جهاز الطاقة نتريد الغاليوم GaN على سي

ضوء LED الأزرق GaN على رقاقة السيليكون ليزر أزرق GaN رقاقة القلب

2 بوصة GaN على السيليكون الخضراء LED Epi وافر غاليوم نتريد على السيليكون

2 بوصة GaN على السيليكون الأزرق LD Epi وافر GaN الليزر الأزرق على السيليكون

الليزر البنفسجي GaN على السيليكون 2 بوصة GaN على السيليكون HEMT Epi وافر UV LD Epi وافر

حاجز AlGaN 4 بوصة GaN على السيليكون HEMT Epi غاليوم نتريد غاليوم GaN على Si

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP