طلب اقتباس |
منزل المنتجاتsemiconductor gallium arsenide wafer
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

semiconductor gallium arsenide wafer التصنيع عبر الإنترنت

(10)
يشتري مركب أشباه الموصلات 2 بوصة GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS الانترنت الشركة المصنعة

مركب أشباه الموصلات 2 بوصة GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
اتصل

GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), ... قراءة المزيد
2022-09-27 17:18:19
يشتري 18 مم GaAs Si Wafer 2inch GaAs غير مبطنة ركائز VGF S-C-N الانترنت الشركة المصنعة

18 مم GaAs Si Wafer 2inch GaAs غير مبطنة ركائز VGF S-C-N
اتصل

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... قراءة المزيد
2022-10-09 09:53:40
يشتري غان غان أوبيتاكسيال فوفير ضرورية لإنتاج رقاقة عالية الجهد عالية التردد الانترنت الشركة المصنعة

غان غان أوبيتاكسيال فوفير ضرورية لإنتاج رقاقة عالية الجهد عالية التردد
اتصل

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... قراءة المزيد
2024-12-06 17:47:04
يشتري 2 ′′ 6 بوصة نوع N GaN على سفير رقائق البطاطس للجهاز LED ليزر PIN الانترنت الشركة المصنعة

2 ′′ 6 بوصة نوع N GaN على سفير رقائق البطاطس للجهاز LED ليزر PIN
اتصل

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... قراءة المزيد
2024-12-06 17:48:43
يشتري 2 بوصة رقاقة أشباه الموصلات P المستوى 260 ميكرون لأجهزة الطاقة أجهزة الميكروويف الانترنت الشركة المصنعة

2 بوصة رقاقة أشباه الموصلات P المستوى 260 ميكرون لأجهزة الطاقة أجهزة الميكروويف
اتصل

JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for ... قراءة المزيد
2022-10-24 10:25:55
يشتري 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم SiC Epitaxial Wafer 4H شكل كريستال الانترنت الشركة المصنعة

150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم SiC Epitaxial Wafer 4H شكل كريستال
اتصل

150.0 mm +0mm/-0.2mm Sic Epitaxial Wafer Off-Axis:4°Toward ±0.5 ° JDCD03-001-004 Overview A SiC wafer is a semiconductor made of silicon. Its flatness, thermal conductivity, and electrical conductivity make it ... قراءة المزيد
2022-10-24 10:20:57
يشتري 150.0mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaxial Wafer 47.5mm ± 1.5mm الانترنت الشركة المصنعة

150.0mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaxial Wafer 47.5mm ± 1.5mm
اتصل

150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC Epitaxial Wafer 47.5 mm ± 1.5 mm Overview Because SiC has a high thermal conductivity, SiC dissipates heat more rapidly than other semiconductor materials. This enables ... قراءة المزيد
2022-10-24 10:23:40
يشتري 6 بوصة N نوع رقاقة P MOS درجة 4H SiC الركيزة 350.0 ± 25.0um الانترنت الشركة المصنعة

6 بوصة N نوع رقاقة P MOS درجة 4H SiC الركيزة 350.0 ± 25.0um
اتصل

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... قراءة المزيد
2022-10-24 10:21:10
يشتري JDCD10-001-002 2 بوصة GaAs (100) Si المضغوطة الانترنت الشركة المصنعة

JDCD10-001-002 2 بوصة GaAs (100) Si المضغوطة
اتصل

2inch GaAs (100) Si-doped substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and ... قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:51
يشتري تحفيز الإنتاج معالجة حرارية سريعة RTP-SA-8 نظام التسخين الانترنت الشركة المصنعة

تحفيز الإنتاج معالجة حرارية سريعة RTP-SA-8 نظام التسخين
اتصل

1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat ... قراءة المزيد
2024-12-06 17:48:00
Page 1 of 1
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN مزود. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.