طلب اقتباس |
منزل المنتجاتsilicon carbide crystal 4h
جميع المنتجات

رقاقة فوق المحور GaN

(65)

رقاقة سيك Epitaxial

(39)

ويفر GaAs Epi

(15)

ركائز الماس CVD

(15)

نظام التلدين الحراري السريع

(2)

اختبار استشعار تأثير القاعة

(3)

رقاقة نيتريد الألومنيوم

(21)

رقاقة ليزر ديود

(10)

كريستال كربيد السيليكون

(12)

ويفر Ga2O3

(13)

رقاقة السيليكون

(26)

ويفر ياقوت

(19)

ركائز الياقوت المنقوشة

(10)

حامل بسكويت تفلون

(1)

آلة تقطيع الويفر

(5)
شهادة
الصين Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. الشهادات
ابن دردش الآن

silicon carbide crystal 4h التصنيع عبر الإنترنت

(28)
شراء 4H SiC رقاقة فوق المحور ≤0.2 / سم 2 0.015 • سم - 0.025 • سم 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم الانترنت الصانع

4H SiC رقاقة فوق المحور ≤0.2 / سم 2 0.015 • سم - 0.025 • سم 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم
اتصل

قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
شراء رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP الانترنت الصانع

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-24 10:26:24
شراء JDZJ01-001-004 SiC سبيكة كريستال 6 "درجة P. الانترنت الصانع

JDZJ01-001-004 SiC سبيكة كريستال 6 "درجة P.
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-04 22:42:33
شراء 6 بوصة N نوع رقاقة P MOS درجة 4H SiC الركيزة 350.0 ± 25.0um الانترنت الصانع

6 بوصة N نوع رقاقة P MOS درجة 4H SiC الركيزة 350.0 ± 25.0um
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-24 10:21:10
شراء 150.0mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaxial Wafer 47.5mm ± 1.5mm الانترنت الصانع

150.0mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaxial Wafer 47.5mm ± 1.5mm
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-24 10:23:40
شراء 350um 4H الركيزة SiC الانترنت الصانع

350um 4H الركيزة SiC
اتصل

قراءة المزيد
2022-10-09 16:57:57
شراء ركيزة SiC المستوى P 2 بوصة لأجهزة الطاقة وأجهزة الميكروويف الانترنت الصانع

ركيزة SiC المستوى P 2 بوصة لأجهزة الطاقة وأجهزة الميكروويف
اتصل

قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
شراء 4H SiC رقاقة فوق المحور 0.015 • سم - 0.025 • سم ≤4000 / سم² 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم الانترنت الصانع

4H SiC رقاقة فوق المحور 0.015 • سم - 0.025 • سم ≤4000 / سم² 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم
اتصل

قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
شراء 4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-المستوى SI 500.0 ± 25.0μM MPD≤0.3 / Cm2 المقاومة≥1E9Ω·Cm للطاقة الميكروويفية الانترنت الصانع

4 بوصة 4H-SiC الركيزة P-المستوى SI 500.0 ± 25.0μM MPD≤0.3 / Cm2 المقاومة≥1E9Ω·Cm للطاقة الميكروويفية
اتصل

قراءة المزيد
2025-04-27 11:43:50
شراء 150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم SiC Epitaxial رقاقة بدون مسطح ثانوي 3 مم الانترنت الصانع

150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم SiC Epitaxial رقاقة بدون مسطح ثانوي 3 مم
اتصل

قراءة المزيد
2024-10-29 11:49:58
Page 2 of 3|< 1 2 3 >|
حول

رقاقة فوق المحور GaN

2 بوصة GaN Epitaxial Wafer C Face Fe Doped SI Type Free Standing

ركائز Fe Doped GaN المقاومة> 10 · سم أجهزة RF

ركائز SI-GaN قائمة بذاتها 2 بوصة

رقاقة سيك Epitaxial

رقاقة شطف SiC Epitaxial 150.0 mm + 0mm / -0.2mm 350.0um ± 25.0 um

4H كريستال فورم SiC Epitaxial رقاقة ويفر حافة شطف 350.0um ± 25.0um

رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة فوق المحور GaN المزود. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.