 |
|
|
رقاقة كريستال أحادية SiC Epitaxial Wafer C-Face ملمع بصري Si-Face CMP2022-10-24 10:26:24 |
|
|
|
|
6 بوصة N نوع رقاقة P MOS درجة 4H SiC الركيزة 350.0 ± 25.0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
350um 4H الركيزة SiC2022-10-09 16:57:57 |
|
|
150.0 مم + 0 مم / -0.2 مم SiC Epitaxial رقاقة بدون مسطح ثانوي 3 مم2023-02-17 15:10:26 |
|
|
150.0mm + 0mm / -0.2mm SiC Epitaxial Wafer 47.5mm ± 1.5mm2022-10-24 10:23:40 |
|
|
ركيزة SiC المستوى P 2 بوصة لأجهزة الطاقة وأجهزة الميكروويف2023-02-17 15:30:04 |
|
|
|
|
6 بوصة SiC Epitaxial رقاقة2022-10-09 16:56:20 |
